Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

MBRS1590CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1590CTHMNG

جزء الأسهم: 163

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1640 C0G

جزء الأسهم: 143

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS10150CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS10150CTHMNG

جزء الأسهم: 156

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 980mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF1590CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1590CT C0G

جزء الأسهم: 127

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HERF1008GA C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1008GA C0G

جزء الأسهم: 143

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MUR1660CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1660CT C0G

جزء الأسهم: 81

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR25150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR25150CTHC0G

جزء الأسهم: 116

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.02V @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRF20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF20100 C0G

جزء الأسهم: 146

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HERF1608G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HERF1608G C0G

جزء الأسهم: 150

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS2060CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CTHMNG

جزء الأسهم: 137

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR2035PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035PTHC0G

جزء الأسهم: 109

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
GP1605HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1605HC0G

جزء الأسهم: 150

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF3050CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF3050CTHC0G

جزء الأسهم: 74

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HER1601PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1601PT C0G

جزء الأسهم: 135

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS1640 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1640 MNG

جزء الأسهم: 131

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRF1660 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1660 C0G

جزء الأسهم: 97

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
UG1005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG1005GHC0G

جزء الأسهم: 125

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS10150HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10150HMNG

جزء الأسهم: 144

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MUR1640CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MUR1640CT C0G

جزء الأسهم: 97

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR1630 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1630 C0G

جزء الأسهم: 147

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF1550CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1550CT C0G

جزء الأسهم: 148

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR1545CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CTHC0G

جزء الأسهم: 161

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
GP1007HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1007HC0G

جزء الأسهم: 86

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR30150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30150CT C0G

جزء الأسهم: 66

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.02V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR30100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100CTHC0G

جزء الأسهم: 145

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 940mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-4CSH01HM3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01HM3/86A

جزء الأسهم: 172973

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-MBRB2080CTLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB2080CTLHM3

جزء الأسهم: 72567

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MSRTA40060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA40060(A)

جزء الأسهم: 1225

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 400A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MSRTA30060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRTA30060(A)

جزء الأسهم: 1358

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MSRT25060(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT25060(A)

جزء الأسهم: 1332

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MD120A16D1-BP
Micro Commercial Co

MD120A16D1-BP

جزء الأسهم: 2476

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HN1D01F(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

جزء الأسهم: 125

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
CDBT-54A-G
Comchip Technology

CDBT-54A-G

جزء الأسهم: 127135

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
CDBD2040-HF
Comchip Technology

CDBD2040-HF

جزء الأسهم: 111207

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
CDBT-70S-G
Comchip Technology

CDBT-70S-G

جزء الأسهم: 135361

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 70mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
MBRF30H100CTG
ON Semiconductor

MBRF30H100CTG

جزء الأسهم: 61073

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات