Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

VS-4CSH02-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH02-M3/87A

جزء الأسهم: 128271

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-42CTQ030S-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-42CTQ030S-1HM3

جزء الأسهم: 60706

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 480mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SS8P3CLHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P3CLHM3_A/I

جزء الأسهم: 149065

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-6CWQ04FNTRHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ04FNTRHM3

جزء الأسهم: 83931

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-12CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-12CTQ045STRR-M3

جزء الأسهم: 88987

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
UH4PDCHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

UH4PDCHM3_A/H

جزء الأسهم: 188540

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.05V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-MBR6045WT-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBR6045WT-N3

جزء الأسهم: 11025

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 620mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-40L45CW-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40L45CW-N3

جزء الأسهم: 17070

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-40CTQ045STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-40CTQ045STRR-M3

جزء الأسهم: 57459

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SS8P2CL-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CL-M3/87A

جزء الأسهم: 186416

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 540mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-30CPQ045-N3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CPQ045-N3

جزء الأسهم: 12874

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 540mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS16100 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100 MNG

جزء الأسهم: 131

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS2020HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2020HMNG

جزء الأسهم: 151

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF15100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF15100CTHC0G

جزء الأسهم: 107

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF20L120CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20L120CT C0G

جزء الأسهم: 138

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS2560CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2560CTHMNG

جزء الأسهم: 115

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRF1640 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1640 C0G

جزء الأسهم: 119

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS2535CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2535CT MNG

جزء الأسهم: 160

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS2060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2060CT MNG

جزء الأسهم: 128

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
GP1601HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601HC0G

جزء الأسهم: 93

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS1060HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1060HMNG

جزء الأسهم: 164

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS2030 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS2030 MNG

جزء الأسهم: 94

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS1660 MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS1660 MNG

جزء الأسهم: 98

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR20100 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20100 C0G

جزء الأسهم: 94

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR20L100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR20L100CTHC0G

جزء الأسهم: 142

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
UG2004PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UG2004PT C0G

جزء الأسهم: 88

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 930mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PT C0G

جزء الأسهم: 141

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS1060CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS1060CT MNG

جزء الأسهم: 127

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
FERD40L60CG-TR
STMicroelectronics

FERD40L60CG-TR

جزء الأسهم: 101

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: FERD (Field Effect Rectifier Diode), الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 545mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
CDBD2045-G
Comchip Technology

CDBD2045-G

جزء الأسهم: 111182

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
CDBT-54C-G
Comchip Technology

CDBT-54C-G

جزء الأسهم: 118616

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
CDBGBSC101200-G
Comchip Technology

CDBGBSC101200-G

جزء الأسهم: 79

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 18A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
DB3J315E0L
Panasonic Electronic Components

DB3J315E0L

جزء الأسهم: 176834

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
DA204KT146
Rohm Semiconductor

DA204KT146

جزء الأسهم: 177494

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 10mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
RBQ10NS45AFHTL
Rohm Semiconductor

RBQ10NS45AFHTL

جزء الأسهم: 92

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
RB550EATR
Rohm Semiconductor

RB550EATR

جزء الأسهم: 110897

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 700mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 700mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات