Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

VS-MBRB3030CTLR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB3030CTLR-M3

جزء الأسهم: 50324

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 470mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-MBRB20100CTHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRB20100CTHM3

جزء الأسهم: 87614

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-30CTQ080STRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-30CTQ080STRL-M3

جزء الأسهم: 69092

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 860mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SS12P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS12P4CHM3_A/I

جزء الأسهم: 176500

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SS8P2CLHM3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P2CLHM3_A/H

جزء الأسهم: 120148

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 540mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-43CTQ100-1-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-1-M3

جزء الأسهم: 65658

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 810mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SS10P3C-M3/87A
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS10P3C-M3/87A

جزء الأسهم: 147894

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 530mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
STPSC12H065CT
STMicroelectronics

STPSC12H065CT

جزء الأسهم: 16844

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
STPS30L120CT
STMicroelectronics

STPS30L120CT

جزء الأسهم: 36298

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
GP1607HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1607HC0G

جزء الأسهم: 173

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS10100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS10100HMNG

جزء الأسهم: 76

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HER1002G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1002G C0G

جزء الأسهم: 167

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR1560CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CT C0G

جزء الأسهم: 99

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS2050CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2050CT MNG

جزء الأسهم: 113

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF2590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2590CTHC0G

جزء الأسهم: 145

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HER3005PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER3005PT C0G

جزء الأسهم: 83

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR3060PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR3060PTHC0G

جزء الأسهم: 130

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR1690PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1690PTHC0G

جزء الأسهم: 131

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRF2060HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF2060HC0G

جزء الأسهم: 93

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS6040CTHMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS6040CTHMNG

جزء الأسهم: 162

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.05V @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF1590CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF1590CTHC0G

جزء الأسهم: 112

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS15150CT-Y MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS15150CT-Y MNG

جزء الأسهم: 141

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRS2090CT MNG
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRS2090CT MNG

جزء الأسهم: 176

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR3060PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR3060PT C0G

جزء الأسهم: 164

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR30100PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR30100PT C0G

جزء الأسهم: 111

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR2035CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR2035CTHC0G

جزء الأسهم: 163

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR1620PT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620PT C0G

جزء الأسهم: 169

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRF1020 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SRF1020 C0G

جزء الأسهم: 97

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF2045CT-LJ
Diodes Incorporated

MBRF2045CT-LJ

جزء الأسهم: 138383

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 640mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
DB6X314K0R
Panasonic Electronic Components

DB6X314K0R

جزء الأسهم: 193055

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
DB3J314J0L
Panasonic Electronic Components

DB3J314J0L

جزء الأسهم: 108927

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 30mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 30mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
MD100A16D1-BP
Micro Commercial Co

MD100A16D1-BP

جزء الأسهم: 2487

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MD70K16D1-BP
Micro Commercial Co

MD70K16D1-BP

جزء الأسهم: 3097

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 70A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
CDBD2045-HF
Comchip Technology

CDBD2045-HF

جزء الأسهم: 111227

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
CDSV6-4448CD-G
Comchip Technology

CDSV6-4448CD-G

جزء الأسهم: 105186

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 500mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR2060CT-G
Comchip Technology

MBR2060CT-G

جزء الأسهم: 114569

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات