الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

AUIRF6215

جزء الأسهم: 66605

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFZ44ZSTRL

جزء الأسهم: 67282

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFSL8403

جزء الأسهم: 67591

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 123A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 70A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFR4620TRL

جزء الأسهم: 71560

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 15A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFR8405TRL

جزء الأسهم: 72559

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.98 mOhm @ 90A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFU8405

جزء الأسهم: 72519

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.98 mOhm @ 90A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFS3806TRL

جزء الأسهم: 72665

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 43A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15.8 mOhm @ 25A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFZ48N

جزء الأسهم: 74090

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 69A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 40A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFZ44Z

جزء الأسهم: 74640

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.9 mOhm @ 31A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRF7805QTR

جزء الأسهم: 74694

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 7A, 4.5V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFR4615TRL

جزء الأسهم: 74654

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 21A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFZ48Z

جزء الأسهم: 75823

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 61A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFZ24NSTRL

جزء الأسهم: 81059

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFN8401TR

جزء الأسهم: 87938

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 84A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRF7484QTR

جزء الأسهم: 79612

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 14A, 7V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFN8403TR

جزء الأسهم: 33605

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRF7734M2TR

جزء الأسهم: 80010

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.9 mOhm @ 43A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRF7416QTR

جزء الأسهم: 83586

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 5.6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRLZ24NSTRL

جزء الأسهم: 81069

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 11A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFR6215TRL

جزء الأسهم: 86560

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

AUIRFR8403TRL

جزء الأسهم: 91320

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.1 mOhm @ 76A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6260

جزء الأسهم: 68588

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 41A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3403

جزء الأسهم: 170735

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 115 mOhm @ 2.6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD444

جزء الأسهم: 145493

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 12A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF11S60

جزء الأسهم: 70640

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW11S60

جزء الأسهم: 70723

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6420

جزء الأسهم: 186820

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW7S65

جزء الأسهم: 72729

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 650 mOhm @ 3.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4425

جزء الأسهم: 163502

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 38V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 14A, 20V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6230

جزء الأسهم: 85106

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 57.5A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.44 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3418

جزء الأسهم: 178973

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW7S60

جزء الأسهم: 82228

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOB1404L

جزء الأسهم: 82544

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 220A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4480

جزء الأسهم: 116147

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.5 mOhm @ 14A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF7S60

جزء الأسهم: 86850

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6240

جزء الأسهم: 91321

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات