Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

AUIRFS8405TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8405TRL

جزء الأسهم: 52016

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS3607TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3607TRL

جزء الأسهم: 53381

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF1010Z
Infineon Technologies

AUIRF1010Z

جزء الأسهم: 56474

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 75A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFSL8405
Infineon Technologies

AUIRFSL8405

جزء الأسهم: 56638

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF1010EZSTRL
Infineon Technologies

AUIRF1010EZSTRL

جزء الأسهم: 56981

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.5 mOhm @ 51A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF4104
Infineon Technologies

AUIRF4104

جزء الأسهم: 58307

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.5 mOhm @ 75A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFN8405TR
Infineon Technologies

AUIRFN8405TR

جزء الأسهم: 65760

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFZ44VZSTRL
Infineon Technologies

AUIRFZ44VZSTRL

جزء الأسهم: 59062

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 57A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 34A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRL3705Z
Infineon Technologies

AUIRL3705Z

جزء الأسهم: 59864

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 52A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF6215STRL
Infineon Technologies

AUIRF6215STRL

جزء الأسهم: 61147

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 6.6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF7648M2TR
Infineon Technologies

AUIRF7648M2TR

جزء الأسهم: 61765

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 68A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 41A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS8403TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8403TRL

جزء الأسهم: 62000

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 123A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 70A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF1018E
Infineon Technologies

AUIRF1018E

جزء الأسهم: 62988

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 79A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 47A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF540ZSTRL
Infineon Technologies

AUIRF540ZSTRL

جزء الأسهم: 62931

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 36A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26.5 mOhm @ 22A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRL7766M2TR
Infineon Technologies

AUIRL7766M2TR

جزء الأسهم: 63442

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 31A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF7736M2TR
Infineon Technologies

AUIRF7736M2TR

جزء الأسهم: 64393

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), 108A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 65A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRL7736M2TR
Infineon Technologies

AUIRL7736M2TR

جزء الأسهم: 64316

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 179A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 67A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF9540N
Infineon Technologies

AUIRF9540N

جزء الأسهم: 64598

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): -100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 117 mOhm @ 11A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD11S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD11S60

جزء الأسهم: 82214

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AO3434A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3434A

جزء الأسهم: 160336

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 4A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOWF15S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF15S65

جزء الأسهم: 54545

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOV15S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOV15S60

جزء الأسهم: 58087

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 520mA (Ta), 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD442
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD442

جزء الأسهم: 112243

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), 37A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD3N60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD3N60

جزء الأسهم: 198742

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 Ohm @ 1.25A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AO4484
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4484

جزء الأسهم: 190959

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AO3409
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3409

جزء الأسهم: 139272

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 2.6A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AON7524
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7524

جزء الأسهم: 193733

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Ta), 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.3 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOWF15S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF15S60

جزء الأسهم: 61248

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOT15S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOT15S60L

جزء الأسهم: 61300

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOW15S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW15S60

جزء الأسهم: 61242

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 7.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOI11S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOI11S60

جزء الأسهم: 66438

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 399 mOhm @ 3.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AON6512
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON6512

جزء الأسهم: 179438

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 54A (Ta), 150A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.7 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOWF11S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOWF11S65

جزء الأسهم: 64485

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 399 mOhm @ 5.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOW11S65
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOW11S65

جزء الأسهم: 64817

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 399 mOhm @ 5.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOV11S60
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOV11S60

جزء الأسهم: 67576

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 650mA (Ta), 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 3.8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
ATP401-TL-H
ON Semiconductor

ATP401-TL-H

جزء الأسهم: 50250

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات