Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

AO6400
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO6400

جزء الأسهم: 185531

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 6.9A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AON7508
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7508

جزء الأسهم: 95192

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AO3402
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3402

جزء الأسهم: 111025

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD514
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD514

جزء الأسهم: 155660

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.5 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOK20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOK20S60L

جزء الأسهم: 19521

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOTF27S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF27S60L

جزء الأسهم: 19882

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 160 mOhm @ 13.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AON7242
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7242

جزء الأسهم: 163482

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Ta), 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AOD424
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOD424

جزء الأسهم: 179847

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.4 mOhm @ 20A, 4.5V,

إلى قائمة الأمنيات
AOTF20S60L
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AOTF20S60L

جزء الأسهم: 22154

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 199 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AO4476A
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO4476A

جزء الأسهم: 121242

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.7 mOhm @ 15A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AON7421
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AON7421

جزء الأسهم: 176210

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Ta), 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AO3421E
Alpha & Omega Semiconductor Inc.

AO3421E

جزء الأسهم: 140335

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 3A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF3004WL
Infineon Technologies

AUIRF3004WL

جزء الأسهم: 28328

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 195A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF2804WL
Infineon Technologies

AUIRF2804WL

جزء الأسهم: 32280

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.8 mOhm @ 187A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF3805L-7P
Infineon Technologies

AUIRF3805L-7P

جزء الأسهم: 19778

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 140A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS4115-7P
Infineon Technologies

AUIRFS4115-7P

جزء الأسهم: 16410

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS3107TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3107TRL

جزء الأسهم: 27131

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 140A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFP1405
Infineon Technologies

AUIRFP1405

جزء الأسهم: 22795

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 95A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF7759L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7759L2TR

جزء الأسهم: 23550

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 375A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 96A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFSA8409-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFSA8409-7TRL

جزء الأسهم: 26440

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 523A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.69 mOhm @ 100A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS3004-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3004-7TRL

جزء الأسهم: 23709

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.25 mOhm @ 195A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS3004TRL
Infineon Technologies

AUIRFS3004TRL

جزء الأسهم: 24214

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.75 mOhm @ 195A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS4115-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4115-7TRL

جزء الأسهم: 24554

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 105A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.8 mOhm @ 63A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS4127TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4127TRL

جزء الأسهم: 24526

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 72A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 44A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF7739L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7739L2TR

جزء الأسهم: 24659

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 46A (Ta), 270A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 160A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRLS8409-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS8409-7TRL

جزء الأسهم: 25209

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS8409-7TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8409-7TRL

جزء الأسهم: 25300

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.75 mOhm @ 100A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF1404Z
Infineon Technologies

AUIRF1404Z

جزء الأسهم: 22982

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 160A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.7 mOhm @ 75A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRLS3034-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3034-7TRL

جزء الأسهم: 25367

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 200A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS4115TRL
Infineon Technologies

AUIRFS4115TRL

جزء الأسهم: 25434

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 99A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.1 mOhm @ 62A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRLS3036-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3036-7TRL

جزء الأسهم: 25560

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 mOhm @ 180A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRLS4030-7TRL
Infineon Technologies

AUIRLS4030-7TRL

جزء الأسهم: 25843

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 190A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 110A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRFS8409TRL
Infineon Technologies

AUIRFS8409TRL

جزء الأسهم: 26316

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.2 mOhm @ 100A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRLS3036TRL
Infineon Technologies

AUIRLS3036TRL

جزء الأسهم: 26630

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 195A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 mOhm @ 165A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRLS4030TRL
Infineon Technologies

AUIRLS4030TRL

جزء الأسهم: 26947

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 180A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 110A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات
AUIRF7799L2TR
Infineon Technologies

AUIRF7799L2TR

جزء الأسهم: 26979

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 375A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 21A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات