Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
BC212_D27Z
ON Semiconductor

BC212_D27Z

جزء الأسهم: 5851

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC183_D27Z
ON Semiconductor

BC183_D27Z

جزء الأسهم: 5838

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 10µA, 5V,

قائمة الرغبات
BD675G
ON Semiconductor

BD675G

جزء الأسهم: 122104

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

قائمة الرغبات
BSR50
ON Semiconductor

BSR50

جزء الأسهم: 5811

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 4mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 2000 @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات
BCX799_D27Z
ON Semiconductor

BCX799_D27Z

جزء الأسهم: 5813

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC636
ON Semiconductor

BC636

جزء الأسهم: 5819

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BCX79
ON Semiconductor

BCX79

جزء الأسهم: 5855

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 2.5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC559B
ON Semiconductor

BC559B

جزء الأسهم: 5786

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC558C
ON Semiconductor

BC558C

جزء الأسهم: 5833

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 420 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC558B
ON Semiconductor

BC558B

جزء الأسهم: 6597

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC558B_J18Z
ON Semiconductor

BC558B_J18Z

جزء الأسهم: 6637

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC558_D81Z
ON Semiconductor

BC558_D81Z

جزء الأسهم: 5829

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC557_J05Z
ON Semiconductor

BC557_J05Z

جزء الأسهم: 5798

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC548_D81Z
ON Semiconductor

BC548_D81Z

جزء الأسهم: 5818

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC557_D11Z
ON Semiconductor

BC557_D11Z

جزء الأسهم: 5789

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC547_J61Z
ON Semiconductor

BC547_J61Z

جزء الأسهم: 5773

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC548
ON Semiconductor

BC548

جزء الأسهم: 5795

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC547_J22Z
ON Semiconductor

BC547_J22Z

جزء الأسهم: 5854

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC516_D74Z
ON Semiconductor

BC516_D74Z

جزء الأسهم: 5796

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30000 @ 20mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC32716
ON Semiconductor

BC32716

جزء الأسهم: 5807

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BD682G
ON Semiconductor

BD682G

جزء الأسهم: 107781

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 30mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 750 @ 1.5A, 3V,

قائمة الرغبات
BC308
ON Semiconductor

BC308

جزء الأسهم: 6661

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC238A
ON Semiconductor

BC238A

جزء الأسهم: 6579

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC307
ON Semiconductor

BC307

جزء الأسهم: 5795

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC238
ON Semiconductor

BC238

جزء الأسهم: 5860

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC214LC
ON Semiconductor

BC214LC

جزء الأسهم: 5794

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 140 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC213L_D27Z
ON Semiconductor

BC213L_D27Z

جزء الأسهم: 5848

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC214
ON Semiconductor

BC214

جزء الأسهم: 5809

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 140 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC212B_D27Z
ON Semiconductor

BC212B_D27Z

جزء الأسهم: 5788

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC212B_D26Z
ON Semiconductor

BC212B_D26Z

جزء الأسهم: 5771

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC184LC_L34Z
ON Semiconductor

BC184LC_L34Z

جزء الأسهم: 5789

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC184L_D27Z
ON Semiconductor

BC184L_D27Z

جزء الأسهم: 5826

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC184_L34Z
ON Semiconductor

BC184_L34Z

جزء الأسهم: 5811

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 130 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC184C
ON Semiconductor

BC184C

جزء الأسهم: 6584

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC183LC_D27Z
ON Semiconductor

BC183LC_D27Z

جزء الأسهم: 6592

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 10µA, 5V,

قائمة الرغبات
BC183C
ON Semiconductor

BC183C

جزء الأسهم: 5801

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات