Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
BC857BTT1
ON Semiconductor

BC857BTT1

جزء الأسهم: 6299

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 220 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC856BLT3
ON Semiconductor

BC856BLT3

جزء الأسهم: 6376

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 65V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 220 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC856ALT3
ON Semiconductor

BC856ALT3

جزء الأسهم: 6317

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 65V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 125 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC850BLT1
ON Semiconductor

BC850BLT1

جزء الأسهم: 6306

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC849BLT3G
ON Semiconductor

BC849BLT3G

جزء الأسهم: 6673

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC849BLT3
ON Semiconductor

BC849BLT3

جزء الأسهم: 6334

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC848BWT1
ON Semiconductor

BC848BWT1

جزء الأسهم: 6310

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC847CWT1
ON Semiconductor

BC847CWT1

جزء الأسهم: 6331

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 420 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC847CTT1
ON Semiconductor

BC847CTT1

جزء الأسهم: 6299

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 420 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC847BLT3
ON Semiconductor

BC847BLT3

جزء الأسهم: 6294

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC846AWT1G
ON Semiconductor

BC846AWT1G

جزء الأسهم: 6369

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 65V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC846AWT1
ON Semiconductor

BC846AWT1

جزء الأسهم: 6368

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 65V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 110 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC818-40LT1
ON Semiconductor

BC818-40LT1

جزء الأسهم: 6727

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC817-16LT3
ON Semiconductor

BC817-16LT3

جزء الأسهم: 6340

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC817-40LT3
ON Semiconductor

BC817-40LT3

جزء الأسهم: 6382

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC808-40LT1
ON Semiconductor

BC808-40LT1

جزء الأسهم: 6380

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC808-40LT1G
ON Semiconductor

BC808-40LT1G

جزء الأسهم: 6309

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC807-16LT3
ON Semiconductor

BC807-16LT3

جزء الأسهم: 6341

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC808-25LT1
ON Semiconductor

BC808-25LT1

جزء الأسهم: 6356

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
BC640ZL1G
ON Semiconductor

BC640ZL1G

جزء الأسهم: 6296

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC640G
ON Semiconductor

BC640G

جزء الأسهم: 6333

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC640ZL1
ON Semiconductor

BC640ZL1

جزء الأسهم: 6324

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC640-016G
ON Semiconductor

BC640-016G

جزء الأسهم: 6371

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC639ZL1
ON Semiconductor

BC639ZL1

جزء الأسهم: 6345

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC639RL1
ON Semiconductor

BC639RL1

جزء الأسهم: 6372

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC639G
ON Semiconductor

BC639G

جزء الأسهم: 6314

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC639-16ZL1
ON Semiconductor

BC639-16ZL1

جزء الأسهم: 6282

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC638G
ON Semiconductor

BC638G

جزء الأسهم: 6703

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC638ZL1
ON Semiconductor

BC638ZL1

جزء الأسهم: 6309

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC637G
ON Semiconductor

BC637G

جزء الأسهم: 6342

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC635ZL1G
ON Semiconductor

BC635ZL1G

جزء الأسهم: 6354

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC635RL1
ON Semiconductor

BC635RL1

جزء الأسهم: 6334

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 2V,

قائمة الرغبات
BC618RL1G
ON Semiconductor

BC618RL1G

جزء الأسهم: 6325

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 55V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 200mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC618RL1
ON Semiconductor

BC618RL1

جزء الأسهم: 6302

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 55V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 200mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC618G
ON Semiconductor

BC618G

جزء الأسهم: 6300

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 55V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.1V @ 200µA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 200mA, 5V,

قائمة الرغبات
BC560CZL1G
ON Semiconductor

BC560CZL1G

جزء الأسهم: 6312

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 380 @ 2mA, 5V,

قائمة الرغبات