Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

MUR220G
ON Semiconductor

MUR220G

جزء الأسهم: 192731

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
RURP860
ON Semiconductor

RURP860

جزء الأسهم: 51991

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 70ns,

قائمة الرغبات
FFP08S60SNTU
ON Semiconductor

FFP08S60SNTU

جزء الأسهم: 63735

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3.4V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 32ns,

قائمة الرغبات
SBRB1045T4G
ON Semiconductor

SBRB1045T4G

جزء الأسهم: 79491

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR820G
ON Semiconductor

MUR820G

جزء الأسهم: 79665

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 975mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
ISL9R860S3ST
ON Semiconductor

ISL9R860S3ST

جزء الأسهم: 79729

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
NGTD5R65F2SWK
ON Semiconductor

NGTD5R65F2SWK

جزء الأسهم: 134326

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A,

قائمة الرغبات
MBR1090G
ON Semiconductor

MBR1090G

جزء الأسهم: 77140

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ISL9R1560PF2
ON Semiconductor

ISL9R1560PF2

جزء الأسهم: 51234

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.2V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 40ns,

قائمة الرغبات
RUR1S1560S9A
ON Semiconductor

RUR1S1560S9A

جزء الأسهم: 53386

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

قائمة الرغبات
FFSP0665A
ON Semiconductor

FFSP0665A

جزء الأسهم: 3907

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8.8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 6A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
DSM10G-TR-E
ON Semiconductor

DSM10G-TR-E

جزء الأسهم: 2211

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FFSP15120A
ON Semiconductor

FFSP15120A

جزء الأسهم: 9189

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
ISL9R860P2
ON Semiconductor

ISL9R860P2

جزء الأسهم: 66593

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
FFSP1265A
ON Semiconductor

FFSP1265A

جزء الأسهم: 4234

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 12A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
FFSP1065A
ON Semiconductor

FFSP1065A

جزء الأسهم: 3870

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 10A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
ISL9R860PF2
ON Semiconductor

ISL9R860PF2

جزء الأسهم: 81451

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
ISL9R18120S3ST
ON Semiconductor

ISL9R18120S3ST

جزء الأسهم: 46051

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 18A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3.3V @ 18A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
MBRD835LG
ON Semiconductor

MBRD835LG

جزء الأسهم: 101740

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRD350G
ON Semiconductor

MBRD350G

جزء الأسهم: 182517

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NSR10F40QNXT5G
ON Semiconductor

NSR10F40QNXT5G

جزء الأسهم: 179059

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RHRP1560-F102
ON Semiconductor

RHRP1560-F102

جزء الأسهم: 4078

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 40ns,

قائمة الرغبات
RHRP3060-F102
ON Semiconductor

RHRP3060-F102

جزء الأسهم: 4323

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 45ns,

قائمة الرغبات
ISL9R3060G2
ON Semiconductor

ISL9R3060G2

جزء الأسهم: 24084

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 45ns,

قائمة الرغبات
FFSH50120A
ON Semiconductor

FFSH50120A

جزء الأسهم: 4607

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 77A (DC), سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
FFP30S60STU
ON Semiconductor

FFP30S60STU

جزء الأسهم: 49224

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.6V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 40ns,

قائمة الرغبات
ISL9R1560P2
ON Semiconductor

ISL9R1560P2

جزء الأسهم: 44185

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.2V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 40ns,

قائمة الرغبات
ISL9R3060G2-F085
ON Semiconductor

ISL9R3060G2-F085

جزء الأسهم: 4788

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.4V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 45ns,

قائمة الرغبات
MURF860G
ON Semiconductor

MURF860G

جزء الأسهم: 77148

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

قائمة الرغبات
FFSP3065A
ON Semiconductor

FFSP3065A

جزء الأسهم: 10157

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FFSP2065A
ON Semiconductor

FFSP2065A

جزء الأسهم: 4288

نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 20A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 0ns,

قائمة الرغبات
MBR340G
ON Semiconductor

MBR340G

جزء الأسهم: 146492

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NGTD5R65F2WP
ON Semiconductor

NGTD5R65F2WP

جزء الأسهم: 194928

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 20A,

قائمة الرغبات
MBRB2515LT4G
ON Semiconductor

MBRB2515LT4G

جزء الأسهم: 57810

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NSR05F30QNXT5G
ON Semiconductor

NSR05F30QNXT5G

جزء الأسهم: 149299

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 430mV @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR415G
ON Semiconductor

MUR415G

جزء الأسهم: 159273

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 890mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات