Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

NSVRB521S30T1G
ON Semiconductor

NSVRB521S30T1G

جزء الأسهم: 155385

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
NSR0340V2T1G
ON Semiconductor

NSR0340V2T1G

جزء الأسهم: 162532

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات
NRVBA160T3G
ON Semiconductor

NRVBA160T3G

جزء الأسهم: 112180

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FSV540
ON Semiconductor

FSV540

جزء الأسهم: 160727

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FSV1550V
ON Semiconductor

FSV1550V

جزء الأسهم: 183982

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 510mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SBAT54XV2T1G
ON Semiconductor

SBAT54XV2T1G

جزء الأسهم: 165267

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 5ns,

قائمة الرغبات
FS8G
ON Semiconductor

FS8G

جزء الأسهم: 127537

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 3.37µs,

قائمة الرغبات
MUR805G
ON Semiconductor

MUR805G

جزء الأسهم: 83304

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 975mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
MBRA2H100T3G
ON Semiconductor

MBRA2H100T3G

جزء الأسهم: 175646

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 790mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NTS10120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST3G

جزء الأسهم: 177171

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NRVTS360ETFSWFTAG
ON Semiconductor

NRVTS360ETFSWFTAG

جزء الأسهم: 266

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NRVTS12120MFST1G
ON Semiconductor

NRVTS12120MFST1G

جزء الأسهم: 147496

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 830mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR2045EMFST3G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST3G

جزء الأسهم: 132737

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 640mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR5100MFST3G
ON Semiconductor

MBR5100MFST3G

جزء الأسهم: 103152

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 980mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NTS10120MFST1G
ON Semiconductor

NTS10120MFST1G

جزء الأسهم: 115740

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RHRP30120
ON Semiconductor

RHRP30120

جزء الأسهم: 31591

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 3.2V @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 85ns,

قائمة الرغبات
RURG8060-F085
ON Semiconductor

RURG8060-F085

جزء الأسهم: 579

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 80A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 80A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 90ns,

قائمة الرغبات
NRVTS8120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS8120EMFST1G

جزء الأسهم: 177405

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR2045EMFST1G
ON Semiconductor

MBR2045EMFST1G

جزء الأسهم: 117978

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 640mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR30H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR30H100MFST1G

جزء الأسهم: 117113

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 30A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR10100MFST3G
ON Semiconductor

MBR10100MFST3G

جزء الأسهم: 199531

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MSR1560G
ON Semiconductor

MSR1560G

جزء الأسهم: 44943

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 45ns,

قائمة الرغبات
NRVB560MFST3G
ON Semiconductor

NRVB560MFST3G

جزء الأسهم: 137725

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 780mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NRVTS1545EMFST3G
ON Semiconductor

NRVTS1545EMFST3G

جزء الأسهم: 168726

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NTS10100EMFST3G
ON Semiconductor

NTS10100EMFST3G

جزء الأسهم: 159608

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NRVB460MFST3G
ON Semiconductor

NRVB460MFST3G

جزء الأسهم: 160496

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 740mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RURD420S9A_T
ON Semiconductor

RURD420S9A_T

جزء الأسهم: 2595

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
NTS12120EMFST3G
ON Semiconductor

NTS12120EMFST3G

جزء الأسهم: 197578

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 830mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR8H100MFST1G
ON Semiconductor

MBR8H100MFST1G

جزء الأسهم: 130457

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NRVTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NRVTS10120EMFST1G

جزء الأسهم: 198726

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NRVB1240MFST3G
ON Semiconductor

NRVB1240MFST3G

جزء الأسهم: 104946

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 680mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NTS10120EMFST1G
ON Semiconductor

NTS10120EMFST1G

جزء الأسهم: 134113

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NTS12100EMFST1G
ON Semiconductor

NTS12100EMFST1G

جزء الأسهم: 107392

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 730mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR540MFST1G
ON Semiconductor

MBR540MFST1G

جزء الأسهم: 134413

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NTS10100MFST3G
ON Semiconductor

NTS10100MFST3G

جزء الأسهم: 176173

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 690mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NTS1045MFST1G
ON Semiconductor

NTS1045MFST1G

جزء الأسهم: 162251

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات