Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

NTMFS4701NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4701NT3G

جزء الأسهم: 299

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD3813N-35G
ON Semiconductor

NTD3813N-35G

جزء الأسهم: 588

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 16V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.6A (Ta), 51A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4855N-35G
ON Semiconductor

NTD4855N-35G

جزء الأسهم: 499

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Ta), 98A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD95N02R-001
ON Semiconductor

NTD95N02R-001

جزء الأسهم: 6095

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
FQA6N90_F109
ON Semiconductor

FQA6N90_F109

جزء الأسهم: 385

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 Ohm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD60N02R-35G
ON Semiconductor

NTD60N02R-35G

جزء الأسهم: 5688

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD60N02R-1G
ON Semiconductor

NTD60N02R-1G

جزء الأسهم: 353

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
NTGS3447PT1G
ON Semiconductor

NTGS3447PT1G

جزء الأسهم: 444

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD4806NA-1G
ON Semiconductor

NTD4806NA-1G

جزء الأسهم: 469

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD50N03RT4
ON Semiconductor

NTD50N03RT4

جزء الأسهم: 298

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.8A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

قائمة الرغبات
NTD3055L170
ON Semiconductor

NTD3055L170

جزء الأسهم: 270

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 4.5A, 5V,

قائمة الرغبات
NTD65N03R
ON Semiconductor

NTD65N03R

جزء الأسهم: 355

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTLJF3118NTAG
ON Semiconductor

NTLJF3118NTAG

جزء الأسهم: 497

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD4857N-1G
ON Semiconductor

NTD4857N-1G

جزء الأسهم: 6090

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 78A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD65N03R-035
ON Semiconductor

NTD65N03R-035

جزء الأسهم: 300

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTLJS4159NT1G
ON Semiconductor

NTLJS4159NT1G

جزء الأسهم: 331

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
FDD8444L
ON Semiconductor

FDD8444L

جزء الأسهم: 423

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Ta), 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMS4872NR2G
ON Semiconductor

NTMS4872NR2G

جزء الأسهم: 525

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), 10.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.5 mOhm @ 10.2A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4122NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4122NT3G

جزء الأسهم: 387

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
FDB8832
ON Semiconductor

FDB8832

جزء الأسهم: 39081

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 34A (Ta), 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
FDM6296
ON Semiconductor

FDM6296

جزء الأسهم: 371

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 11.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FDC636P
ON Semiconductor

FDC636P

جزء الأسهم: 589

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 130 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD4863N-1G
ON Semiconductor

NTD4863N-1G

جزء الأسهم: 444

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Ta), 49A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
FDI8441
ON Semiconductor

FDI8441

جزء الأسهم: 458

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 80A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4835NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4835NT3G

جزء الأسهم: 474

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), 130A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD78N03-035
ON Semiconductor

NTD78N03-035

جزء الأسهم: 313

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.4A (Ta), 78A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 78A, 10V,

قائمة الرغبات
FDR858P
ON Semiconductor

FDR858P

جزء الأسهم: 332

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD85N02RG
ON Semiconductor

NTD85N02RG

جزء الأسهم: 385

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4806NA-35G
ON Semiconductor

NTD4806NA-35G

جزء الأسهم: 501

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTR4503NT1
ON Semiconductor

NTR4503NT1

جزء الأسهم: 330

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4804N-35G
ON Semiconductor

NTD4804N-35G

جزء الأسهم: 470

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.5A (Ta), 124A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
FQU13N10LTU
ON Semiconductor

FQU13N10LTU

جزء الأسهم: 106178

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD95N02R-1G
ON Semiconductor

NTD95N02R-1G

جزء الأسهم: 6084

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
NVTFS5124PLTAG
ON Semiconductor

NVTFS5124PLTAG

جزء الأسهم: 118550

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 260 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD3813NT4G
ON Semiconductor

NTD3813NT4G

جزء الأسهم: 549

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 16V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.6A (Ta), 51A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.75 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
NTF2955PT1G
ON Semiconductor

NTF2955PT1G

جزء الأسهم: 500

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 185 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات