Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

NTD4809NAT4G
ON Semiconductor

NTD4809NAT4G

جزء الأسهم: 482

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.6A (Ta), 58A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4841NHT3G
ON Semiconductor

NTMFS4841NHT3G

جزء الأسهم: 488

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.6A (Ta), 59A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4815NH-1G
ON Semiconductor

NTD4815NH-1G

جزء الأسهم: 458

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Ta), 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTJS3157NT4
ON Semiconductor

NTJS3157NT4

جزء الأسهم: 347

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NVTFS5C670NLTAG
ON Semiconductor

NVTFS5C670NLTAG

جزء الأسهم: 148040

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.8 mOhm @ 35A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD85N02R-1G
ON Semiconductor

NTD85N02R-1G

جزء الأسهم: 371

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 24V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
FDZ291P
ON Semiconductor

FDZ291P

جزء الأسهم: 423

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 4.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTHD3101FT3
ON Semiconductor

NTHD3101FT3

جزء الأسهم: 333

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD4815N-1G
ON Semiconductor

NTD4815N-1G

جزء الأسهم: 345

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Ta), 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTS2101PT1
ON Semiconductor

NTS2101PT1

جزء الأسهم: 321

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
FDMS8670
ON Semiconductor

FDMS8670

جزء الأسهم: 580

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Ta), 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD50N03R
ON Semiconductor

NTD50N03R

جزء الأسهم: 6031

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.8A (Ta), 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 30A, 11.5V,

قائمة الرغبات
FDS5692Z
ON Semiconductor

FDS5692Z

جزء الأسهم: 597

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 5.8A, 10V,

قائمة الرغبات
NTGS3441PT1G
ON Semiconductor

NTGS3441PT1G

جزء الأسهم: 480

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD4810NH-1G
ON Semiconductor

NTD4810NH-1G

جزء الأسهم: 486

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 54A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD32N06L-1G
ON Semiconductor

NTD32N06L-1G

جزء الأسهم: 273

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 16A, 5V,

قائمة الرغبات
NTMS4706NR2G
ON Semiconductor

NTMS4706NR2G

جزء الأسهم: 375

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 10.3A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4810NH-35G
ON Semiconductor

NTD4810NH-35G

جزء الأسهم: 499

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), 54A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTGD4169FT1G
ON Semiconductor

NTGD4169FT1G

جزء الأسهم: 6075

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 2.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD70N03R
ON Semiconductor

NTD70N03R

جزء الأسهم: 6051

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
NTTFS4C05NTAG
ON Semiconductor

NTTFS4C05NTAG

جزء الأسهم: 174926

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTLJF3117PTAG
ON Semiconductor

NTLJF3117PTAG

جزء الأسهم: 6127

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTMFS4837NHT3G
ON Semiconductor

NTMFS4837NHT3G

جزء الأسهم: 463

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.2A (Ta), 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4860N-35G
ON Semiconductor

NTD4860N-35G

جزء الأسهم: 520

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.4A (Ta), 65A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
HUF75344A3
ON Semiconductor

HUF75344A3

جزء الأسهم: 494

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 55V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 75A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 75A, 10V,

قائمة الرغبات
NTLJS3113PTAG
ON Semiconductor

NTLJS3113PTAG

جزء الأسهم: 527

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD4804N-1G
ON Semiconductor

NTD4804N-1G

جزء الأسهم: 446

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14.5A (Ta), 124A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTHD5904NT3G
ON Semiconductor

NTHD5904NT3G

جزء الأسهم: 348

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 3.3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTR4502PT3
ON Semiconductor

NTR4502PT3

جزء الأسهم: 332

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 1.95A, 10V,

قائمة الرغبات
NTF3055-100T3G
ON Semiconductor

NTF3055-100T3G

جزء الأسهم: 323

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 110 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NTZS3151PT5G
ON Semiconductor

NTZS3151PT5G

جزء الأسهم: 352

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 860mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 950mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD3808N-35G
ON Semiconductor

NTD3808N-35G

جزء الأسهم: 552

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 16V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), 76A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.8 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4805N-1G
ON Semiconductor

NTD4805N-1G

جزء الأسهم: 450

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.7A (Ta), 95A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD3817N-1G
ON Semiconductor

NTD3817N-1G

جزء الأسهم: 541

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 16V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.6A (Ta), 34.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13.9 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4806NAT4G
ON Semiconductor

NTD4806NAT4G

جزء الأسهم: 442

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.3A (Ta), 79A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4108NT3G
ON Semiconductor

NTMFS4108NT3G

جزء الأسهم: 372

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 mOhm @ 21A, 10V,

قائمة الرغبات