Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SFP9640
ON Semiconductor

SFP9640

جزء الأسهم: 791

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FDD45AN06LA0
ON Semiconductor

FDD45AN06LA0

جزء الأسهم: 656

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.2A (Ta), 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 36 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
FQB8N60CFTM
ON Semiconductor

FQB8N60CFTM

جزء الأسهم: 611

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.26A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 3.13A, 10V,

قائمة الرغبات
NTLJS3180PZTBG
ON Semiconductor

NTLJS3180PZTBG

جزء الأسهم: 696

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
FDU8796_F071
ON Semiconductor

FDU8796_F071

جزء الأسهم: 680

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.7 mOhm @ 35A, 10V,

قائمة الرغبات
NIF9N05CLT1G
ON Semiconductor

NIF9N05CLT1G

جزء الأسهم: 6129

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 59V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 2.6A, 10V,

قائمة الرغبات
FDD6776A
ON Semiconductor

FDD6776A

جزء الأسهم: 641

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17.7A (Ta), 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 17.7A, 10V,

قائمة الرغبات
PCP1302-TD-H
ON Semiconductor

PCP1302-TD-H

جزء الأسهم: 148092

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 266 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFM220BTF_FP001
ON Semiconductor

IRFM220BTF_FP001

جزء الأسهم: 737

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.13A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 570mA, 10V,

قائمة الرغبات
NTMS4503NR2G
ON Semiconductor

NTMS4503NR2G

جزء الأسهم: 839

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 28V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
FQB4N20TM
ON Semiconductor

FQB4N20TM

جزء الأسهم: 588

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 1.8A, 10V,

قائمة الرغبات
NTR3162PT1G
ON Semiconductor

NTR3162PT1G

جزء الأسهم: 677

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTD5803NT4G
ON Semiconductor

NTD5803NT4G

جزء الأسهم: 698

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 76A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.2 mOhm @ 50A, 10V,

قائمة الرغبات
FQA28N15_F109
ON Semiconductor

FQA28N15_F109

جزء الأسهم: 595

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 16.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SFM9014TF
ON Semiconductor

SFM9014TF

جزء الأسهم: 711

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 900mA, 10V,

قائمة الرغبات
NDS8435A
ON Semiconductor

NDS8435A

جزء الأسهم: 6066

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.9A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 7.9A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4120NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4120NT1G

جزء الأسهم: 850

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 26A, 10V,

قائمة الرغبات
FDA79N15
ON Semiconductor

FDA79N15

جزء الأسهم: 626

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 79A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 39.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FQD8P10TF_NB82052
ON Semiconductor

FQD8P10TF_NB82052

جزء الأسهم: 679

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 530 mOhm @ 3.3A, 10V,

قائمة الرغبات
NDT451AN_J23Z
ON Semiconductor

NDT451AN_J23Z

جزء الأسهم: 648

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 7.2A, 10V,

قائمة الرغبات
FDS3670
ON Semiconductor

FDS3670

جزء الأسهم: 604

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 32 mOhm @ 6.3A, 10V,

قائمة الرغبات
FDD5N50TF_WS
ON Semiconductor

FDD5N50TF_WS

جزء الأسهم: 562

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
NTD4865N-1G
ON Semiconductor

NTD4865N-1G

جزء الأسهم: 696

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), 44A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFS644B_FP001
ON Semiconductor

IRFS644B_FP001

جزء الأسهم: 713

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 14A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF620B_FP001
ON Semiconductor

IRF620B_FP001

جزء الأسهم: 784

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 800 mOhm @ 2.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FDP5680
ON Semiconductor

FDP5680

جزء الأسهم: 579

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
FQB55N10TM
ON Semiconductor

FQB55N10TM

جزء الأسهم: 62318

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 27.5A, 10V,

قائمة الرغبات
NTMFS4851NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4851NT1G

جزء الأسهم: 620

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.5A (Ta), 66A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
FDV304P_NB8U003
ON Semiconductor

FDV304P_NB8U003

جزء الأسهم: 597

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 460mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.7V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
FDC796N_F077
ON Semiconductor

FDC796N_F077

جزء الأسهم: 6123

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 12.5A, 10V,

قائمة الرغبات
FQPF12P20YDTU
ON Semiconductor

FQPF12P20YDTU

جزء الأسهم: 646

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 470 mOhm @ 3.65A, 10V,

قائمة الرغبات
FQI34P10TU
ON Semiconductor

FQI34P10TU

جزء الأسهم: 5648

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 16.75A, 10V,

قائمة الرغبات
FQB22P10TM
ON Semiconductor

FQB22P10TM

جزء الأسهم: 83405

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 125 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
NTK3142PT1G
ON Semiconductor

NTK3142PT1G

جزء الأسهم: 882

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 215mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 260mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
NTMFS4836NT1G
ON Semiconductor

NTMFS4836NT1G

جزء الأسهم: 867

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), 90A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 11.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
FDC699P_F077
ON Semiconductor

FDC699P_F077

جزء الأسهم: 656

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 22 mOhm @ 7A, 4.5V,

قائمة الرغبات