الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

MRF8S19140HR3

جزء الأسهم: 6429

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.96GHz, ربح: 19.1dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF6VP3091NR1

جزء الأسهم: 1575

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 860MHz, ربح: 22dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6V10010NR4

جزء الأسهم: 1633

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.09GHz, ربح: 25dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1314HSR5

جزء الأسهم: 191

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.4GHz, ربح: 17.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRFE6VP61K25HSR6

جزء الأسهم: 6340

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 24dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8P9300HSR5

جزء الأسهم: 4726

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 960MHz, ربح: 19.4dB, الجهد - اختبار: 28V,

MHT1008NT1

جزء الأسهم: 9320

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.4GHz ~ 2.5GHz, ربح: 18.6dB,

MRF6VP121KHR5

جزء الأسهم: 204

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.03GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8P29300HR5

جزء الأسهم: 4677

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.9GHz, ربح: 13.3dB, الجهد - اختبار: 30V,

MRFE6S8046GNR1

جزء الأسهم: 6331

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 894MHz, ربح: 19.8dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFG35003N6AT1

جزء الأسهم: 10964

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 10dB, الجهد - اختبار: 6V,

MMRF1305HR5

جزء الأسهم: 1124

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 512MHz, ربح: 26dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6V2150NBR1

جزء الأسهم: 1935

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 220MHz, ربح: 25dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8P26080HSR3

جزء الأسهم: 1784

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.62GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFE6VS25GNR1

جزء الأسهم: 3755

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 512MHz, ربح: 25.4dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6S20010NR1

جزء الأسهم: 4810

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF6V13250HSR3

جزء الأسهم: 6412

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.3GHz, ربح: 22.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF5016HSR5

جزء الأسهم: 6383

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 1.8GHz ~ 2.2GHz,

MRF8S7170NR3

جزء الأسهم: 1337

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 748MHz, ربح: 19.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

ON5157,127

جزء الأسهم: 6400

MRF8P9040GNR1

جزء الأسهم: 5310

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 960MHz, ربح: 19.1dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8P20165WHSR3

جزء الأسهم: 894

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.98GHz ~ 2.01GHz, ربح: 14.8dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFE6VS25NR1

جزء الأسهم: 3810

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 512MHz, ربح: 25.4dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1012NR1

جزء الأسهم: 6378

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 220MHz, ربح: 23.9dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1317HR5

جزء الأسهم: 202

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.03GHz, ربح: 18.2dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRFE6VP61K25GSR5

جزء الأسهم: 351

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 230MHz, ربح: 24dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6V14300HR5

جزء الأسهم: 239

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.4GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 50V,

ON5252,118

جزء الأسهم: 6332

MRF13750HR5

جزء الأسهم: 354

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 700MHz ~ 1.3GHz, ربح: 20.6dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 10µA,

MRF6VP3091NBR5

جزء الأسهم: 1396

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 860MHz, ربح: 22dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8P20140WGHSR3

جزء الأسهم: 1040

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.88GHz ~ 1.91GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8P18265HSR6

جزء الأسهم: 6427

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.88GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 30V,

MRF6V12500GSR5

جزء الأسهم: 155

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz ~ 1.215GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 200µA,

MRF6V14300HSR5

جزء الأسهم: 279

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.4GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 50V,

ON5250/A,135

جزء الأسهم: 6337

MHT1108NT1

جزء الأسهم: 102

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.45GHz, ربح: 18.6dB, الجهد - اختبار: 32V, التصويت الحالي: 10µA,