أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 2kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 128kb (User),
أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 840MHz ~ 960MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (EPC), المعايير: EPC,
أسلوب: Inlay, تقنية: Passive, تكرر: 13.56MHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1kB (User), المعايير: ISO 15693,
