RFID مرسلات ، العلامات

HT2DC20S20/F/RSP

HT2DC20S20/F/RSP

جزء الأسهم: 50657

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 125kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 256b (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

قائمة الرغبات
PCF7931AS/3851,122

PCF7931AS/3851,122

جزء الأسهم: 769

قائمة الرغبات
HTMS8201FTK/AF,115

HTMS8201FTK/AF,115

جزء الأسهم: 131205

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

قائمة الرغبات
PCF7939VA/CABC0600

PCF7939VA/CABC0600

جزء الأسهم: 23557

قائمة الرغبات
HTMS8001FTB/AF,115

HTMS8001FTB/AF,115

جزء الأسهم: 115701

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

قائمة الرغبات
PCF7939PA/CABC1200

PCF7939PA/CABC1200

جزء الأسهم: 682

قائمة الرغبات
HTMS1101FTK/AF,115

HTMS1101FTK/AF,115

جزء الأسهم: 716

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

قائمة الرغبات
HTMS8201FTB/AF,115

HTMS8201FTB/AF,115

جزء الأسهم: 141497

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

قائمة الرغبات
HTMS1001FUG/AM,026

HTMS1001FUG/AM,026

جزء الأسهم: 728

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write, ذاكرة قابلة للكتابة: 1.76kb (User), المعايير: ISO 11784, ISO 11785,

قائمة الرغبات
HTMS8301FUG/AM,005

HTMS8301FUG/AM,005

جزء الأسهم: 750

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,

قائمة الرغبات
HTMS1301FUG/AM,005

HTMS1301FUG/AM,005

جزء الأسهم: 686

أسلوب: Encapsulated, تقنية: Passive, تكرر: 100kHz ~ 150kHz, نوع الذاكرة: Read/Write,

قائمة الرغبات