الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

MRF8P23160WHSR3

جزء الأسهم: 967

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 2.32GHz, ربح: 14.1dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8S26120HR3

جزء الأسهم: 6429

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.69GHz, ربح: 15.6dB, الجهد - اختبار: 28V,

MHT1006NT1

جزء الأسهم: 9296

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 21.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1011HSR5

جزء الأسهم: 317

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.4GHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF7S38010HR5

جزء الأسهم: 6452

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 3.4GHz ~ 3.6GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 30V,

MRFE6S9125NBR1

جزء الأسهم: 2108

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 20.2dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8S21140HR3

جزء الأسهم: 6428

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.14GHz, ربح: 17.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8S8260HR3

جزء الأسهم: 6380

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 895MHz, ربح: 21.1dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF6V12500HR3

جزء الأسهم: 6335

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.03GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8S9100HR5

جزء الأسهم: 6391

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 920MHz, ربح: 19.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF085HR5

جزء الأسهم: 402

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.8MHz ~ 1.215GHz, ربح: 25.6dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 7µA,

MRF8P20165WHR3

جزء الأسهم: 939

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.98GHz ~ 2.01GHz, ربح: 14.8dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF6V2010GNR1

جزء الأسهم: 4853

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 220MHz, ربح: 23.9dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRFE6P9220HR3

جزء الأسهم: 6330

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8S26120HSR5

جزء الأسهم: 6398

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.69GHz, ربح: 15.6dB, الجهد - اختبار: 28V,

MHT1003NR3

جزء الأسهم: 766

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.4GHz ~ 2.5GHz, ربح: 15.9dB,

MRF8S19260HSR5

جزء الأسهم: 6338

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.99GHz, ربح: 18.2dB, الجهد - اختبار: 30V,

MRF1K50N-TF1

جزء الأسهم: 152

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.8MHz ~ 500MHz, ربح: 23dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 10µA,

ON5200,118

جزء الأسهم: 6395

MMRF1009HR5

جزء الأسهم: 239

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.03GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6S20010GNR1

جزء الأسهم: 4742

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFE6S9060NR1

جزء الأسهم: 2797

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 21.1dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8S23120HSR5

جزء الأسهم: 6349

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.3GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFE6VP8600HSR5

جزء الأسهم: 604

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 860MHz, ربح: 19.3dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRFE6VP6300HR3

جزء الأسهم: 1152

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 26.5dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8P20160HSR3

جزء الأسهم: 6331

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.92GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF6V12250HSR5

جزء الأسهم: 326

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.03GHz, ربح: 20.3dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1312HR5

جزء الأسهم: 202

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.03GHz, ربح: 19.6dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF7S24250NR3

جزء الأسهم: 737

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.45GHz, ربح: 14.7dB, الجهد - اختبار: 30V,

MRF8S18260HSR5

جزء الأسهم: 6399

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.81GHz, ربح: 17.9dB, الجهد - اختبار: 30V,

MMRF5015NR5

جزء الأسهم: 240

نوع الترانزستور: HEMT, تكرر: 2.5GHz, ربح: 16.6dB, الجهد - اختبار: 50V,

ON5262,127

جزء الأسهم: 4706

MRF8S9232NR3

جزء الأسهم: 958

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 960MHz, ربح: 18.1dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF300AN

جزء الأسهم: 635

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 27MHz ~ 250MHz, ربح: 18.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF5S9100MBR1

جزء الأسهم: 6426

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 19.5dB, الجهد - اختبار: 26V,

MMRF1020-04GNR3

جزء الأسهم: 567

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 920MHz, ربح: 19.5dB, الجهد - اختبار: 48V,