الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

MRF8S21140HR5

جزء الأسهم: 6433

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.14GHz, ربح: 17.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1004GNR1

جزء الأسهم: 5113

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1024HSR5

جزء الأسهم: 737

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.5GHz, ربح: 14.1dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8P20100HSR5

جزء الأسهم: 4692

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.03GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1310HR5

جزء الأسهم: 1080

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 26.5dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8S21140HSR5

جزء الأسهم: 6352

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.14GHz, ربح: 17.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1304NR1

جزء الأسهم: 3808

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 512MHz, ربح: 25.4dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1305HSR5

جزء الأسهم: 1146

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 512MHz, ربح: 26dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6V12250HR5

جزء الأسهم: 344

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.03GHz, ربح: 20.3dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6VP3450HR5

جزء الأسهم: 564

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 860MHz, ربح: 22.5dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1013HSR5

جزء الأسهم: 332

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.9GHz, ربح: 13.3dB, الجهد - اختبار: 30V,

MMRF1306HSR5

جزء الأسهم: 355

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 24dB, الجهد - اختبار: 50V,

MW6S010NR1

جزء الأسهم: 6613

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 18dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1314HR5

جزء الأسهم: 193

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.4GHz, ربح: 17.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8S21140HSR3

جزء الأسهم: 5470

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.14GHz, ربح: 17.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFE8VP8600HSR5

جزء الأسهم: 195

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 860MHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 50V, التصويت الحالي: 20µA,

MMRF1020-04NR3

جزء الأسهم: 452

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 920MHz, ربح: 19.5dB, الجهد - اختبار: 48V,

MRF8S9202GNR3

جزء الأسهم: 934

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 920MHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1008HR5

جزء الأسهم: 423

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.03GHz, ربح: 20.3dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8S21100HR3

جزء الأسهم: 6402

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 2.17GHz, ربح: 18.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8P9300HSR6

جزء الأسهم: 702

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 960MHz, ربح: 19.4dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFE6VP5150GNR1

جزء الأسهم: 2747

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 26.1dB, الجهد - اختبار: 50V,

MMRF1006HSR5

جزء الأسهم: 234

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 450MHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8P23080HSR3

جزء الأسهم: 1387

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 2.3GHz, ربح: 14.6dB, الجهد - اختبار: 28V,

ON5154,127

جزء الأسهم: 6375

MRF6V12500HSR5

جزء الأسهم: 235

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.03GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF6VP3091NBR1

جزء الأسهم: 1555

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 860MHz, ربح: 22dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8P20160HSR5

جزء الأسهم: 6412

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.92GHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8S9260HR5

جزء الأسهم: 6361

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 18.6dB, الجهد - اختبار: 28V,

ON5520,215

جزء الأسهم: 6405

MMRF1005HSR5

جزء الأسهم: 431

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.3GHz, ربح: 22.7dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRF8S26060HR5

جزء الأسهم: 6392

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.69GHz, ربح: 16.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRF8P9210NR3

جزء الأسهم: 1074

نوع الترانزستور: N-Channel, تكرر: 960MHz, ربح: 16.8dB, الجهد - اختبار: 28V,

MRFE6VP5600HSR6

جزء الأسهم: 6410

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 230MHz, ربح: 25dB, الجهد - اختبار: 50V,

MRFE6S9046GNR1

جزء الأسهم: 3362

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 960MHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 28V,

MMRF1018NR1

جزء الأسهم: 1550

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 860MHz, ربح: 22dB, الجهد - اختبار: 50V,