الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF

BF556B,215

جزء الأسهم: 6095

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 13mA,

BF998R,215

جزء الأسهم: 6055

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 8V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,

BF998R,235

جزء الأسهم: 6107

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 8V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,

BF1212R,215

جزء الأسهم: 6040

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 30dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 0.9dB,

BF909WR,135

جزء الأسهم: 6067

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 40mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

BF909WR,115

جزء الأسهم: 6089

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 40mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

BF1201WR,115

جزء الأسهم: 6036

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 29dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF1201WR,135

جزء الأسهم: 4697

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 29dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF904,235

جزء الأسهم: 6105

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF904,215

جزء الأسهم: 6117

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF908,215

جزء الأسهم: 6061

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 8V, التصويت الحالي: 40mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,

BF996S,215

جزء الأسهم: 120377

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, ربح: 25dB, الجهد - اختبار: 15V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF998WR,115

جزء الأسهم: 6048

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 8V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 0.6dB,

BF1101R,215

جزء الأسهم: 6035

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.7dB,

BF1101,215

جزء الأسهم: 6055

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.7dB,

BF1109R,215

جزء الأسهم: 6104

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 9V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.5dB,

BF1205,115

جزء الأسهم: 6076

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, ربح: 26dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.2dB,

BF1205,135

جزء الأسهم: 5501

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, ربح: 35dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.2dB,

BF1102,115

جزء الأسهم: 6103

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 40mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

BF1101WR,115

جزء الأسهم: 6107

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.7dB,

BF1105,215

جزء الأسهم: 6099

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.7dB,

BF1201,215

جزء الأسهم: 6041

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 29dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF1201R,215

جزء الأسهم: 6079

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 29dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF1215,115

جزء الأسهم: 6082

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 30dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.5dB,

BF1216,115

جزء الأسهم: 6022

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 30dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF1218,115

جزء الأسهم: 6081

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 32dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 0.9dB,

BF904WR,115

جزء الأسهم: 4642

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,

BF909R,215

جزء الأسهم: 6082

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 800MHz, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 40mA, الرقم الضوضاء: 2dB,

BF1206,115

جزء الأسهم: 6072

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 30dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.3dB,

BF1208,115

جزء الأسهم: 6089

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 400MHz, ربح: 32dB, الجهد - اختبار: 5V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1.3dB,

BF556C,215

جزء الأسهم: 6094

نوع الترانزستور: N-Channel JFET, التصويت الحالي: 18mA,

BLF8G22LS-310AVJ

جزء الأسهم: 6070

BLF8G22L-160BV,118

جزء الأسهم: 6063

BF1107,215

جزء الأسهم: 116749

نوع الترانزستور: N-Channel, التصويت الحالي: 10mA,

BLF4G10LS-160,112

جزء الأسهم: 6039

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 894.2MHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 28V, التصويت الحالي: 15A,

BF904A,215

جزء الأسهم: 6054

نوع الترانزستور: N-Channel Dual Gate, تكرر: 200MHz, الجهد - اختبار: 4V, التصويت الحالي: 30mA, الرقم الضوضاء: 1dB,