الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - RF | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 31

NXP USA Inc.

MRF6P18190HR6

جزء الأسهم: 6313

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.88GHz, ربح: 15.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF21045LSR5

جزء الأسهم: 6324

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.16GHz ~ 2.17GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S16150HR3

جزء الأسهم: 6319

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.6GHz ~ 1.66GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6P24190HR5

جزء الأسهم: 6328

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.39GHz, ربح: 14dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S35120HSR3

جزء الأسهم: 4695

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 3.1GHz ~ 3.5GHz, ربح: 12dB, الجهد - اختبار: 32V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S4140HSR5

جزء الأسهم: 6270

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 465MHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35003M6R5

جزء الأسهم: 6273

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 9dB, الجهد - اختبار: 6V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S9060MBR1

جزء الأسهم: 6260

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 21.4dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S9045NBR1

جزء الأسهم: 6088

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 22.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF19090SR3

جزء الأسهم: 6363

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz, ربح: 11.5dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFE6S9200HR3

جزء الأسهم: 6380

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF8S26060HSR5

جزء الأسهم: 6080

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.69GHz, ربح: 16.3dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF19125R5

جزء الأسهم: 6055

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz, ربح: 13.5dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFE6S9135HR3

جزء الأسهم: 6309

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 940MHz, ربح: 21dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF1570NT1

جزء الأسهم: 2602

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 470MHz, ربح: 11.5dB, الجهد - اختبار: 12.5V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S21210HR3

جزء الأسهم: 6362

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 18.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9120LR3

جزء الأسهم: 6354

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 16.5dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5P20180HR6

جزء الأسهم: 6310

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ربح: 14dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6VP121KHSR6

جزء الأسهم: 6359

نوع الترانزستور: LDMOS (Dual), تكرر: 1.03GHz, ربح: 20dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35005MT1

جزء الأسهم: 6265

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 11dB, الجهد - اختبار: 12V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S19150HR5

جزء الأسهم: 6297

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.93GHz ~ 1.99GHz, ربح: 14dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF8S9202NR3

جزء الأسهم: 6036

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 920MHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V2300NR1

جزء الأسهم: 1054

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 220MHz, ربح: 25.5dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S21050LSR3

جزء الأسهم: 6329

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.16GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF5S9150HR5

جزء الأسهم: 6297

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 880MHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF21045LSR3

جزء الأسهم: 6339

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.17GHz, ربح: 15dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S21050LSR5

جزء الأسهم: 6345

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.16GHz, ربح: 16dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S16150HR5

جزء الأسهم: 4725

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 1.6GHz ~ 1.66GHz, ربح: 19.7dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6P21190HR5

جزء الأسهم: 4627

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.12GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S21100HSR3

جزء الأسهم: 6075

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 15.9dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MMRF1311HR5

جزء الأسهم: 6034

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 470MHz ~ 860MHz, ربح: 20dB,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF9030LSR5

جزء الأسهم: 6323

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 945MHz, ربح: 19dB, الجهد - اختبار: 26V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6V4300NR5

جزء الأسهم: 999

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 450MHz, ربح: 22dB, الجهد - اختبار: 50V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRFG35002N6R5

جزء الأسهم: 6162

نوع الترانزستور: pHEMT FET, تكرر: 3.55GHz, ربح: 10dB, الجهد - اختبار: 6V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF6S21140HR5

جزء الأسهم: 6333

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.12GHz, ربح: 15.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات

NXP USA Inc.

MRF7S21150HR5

جزء الأسهم: 6388

نوع الترانزستور: LDMOS, تكرر: 2.11GHz ~ 2.17GHz, ربح: 17.5dB, الجهد - اختبار: 28V,

قائمة الرغبات