الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

2N3506L

جزء الأسهم: 105

2N2432

جزء الأسهم: 1019

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1mA, 5V,

2N3419S

جزء الأسهم: 97

2N6275

جزء الأسهم: 89

2N5883

جزء الأسهم: 170

2N6059

جزء الأسهم: 84

2N6308

جزء الأسهم: 97

2N6213

جزء الأسهم: 170

2N3250A

جزء الأسهم: 5445

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 1V,

2N3440UA

جزء الأسهم: 91

2N3499L

جزء الأسهم: 4638

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.4V @ 30mA, 300mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6274

جزء الأسهم: 164

2N5680

جزء الأسهم: 3646

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 250mA, 2V,

2N3867

جزء الأسهم: 139

2N6547

جزء الأسهم: 95

2N4236

جزء الأسهم: 2250

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 250mA, 1V,

2N4898

جزء الأسهم: 131

2N6049

جزء الأسهم: 137

2N4150

جزء الأسهم: 94

2N3879

جزء الأسهم: 169

2N5880

جزء الأسهم: 88

2N5349

جزء الأسهم: 165

2N5661U3

جزء الأسهم: 88

2N696S

جزء الأسهم: 160

2N6306

جزء الأسهم: 172

2N2605

جزء الأسهم: 5074

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 5V,

2N3902

جزء الأسهم: 139

2N336A

جزء الأسهم: 1213

2N5152

جزء الأسهم: 149

2N4899

جزء الأسهم: 115

2N5010

جزء الأسهم: 120

2N4261UB

جزء الأسهم: 2598

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 1V,

2N5684

جزء الأسهم: 166

2N5685

جزء الأسهم: 97

2N4300

جزء الأسهم: 142

2N335

جزء الأسهم: 1226