الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

2N3637UB

جزء الأسهم: 4041

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 175V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 50mA, 10V,

2N3057A

جزء الأسهم: 7604

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 500mA, 10V,

2N5384

جزء الأسهم: 120

2N5681

جزء الأسهم: 103

2N5781

جزء الأسهم: 155

2N3724L

جزء الأسهم: 4097

2N3725L

جزء الأسهم: 4086

2N1711S

جزء الأسهم: 82

2N6650

جزء الأسهم: 155

2N5782

جزء الأسهم: 143

2N2221AUB

جزء الأسهم: 7557

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 150mA, 10V,

2N6235

جزء الأسهم: 140

2N930

جزء الأسهم: 9687

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 2nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10µA, 5V,

2N5956

جزء الأسهم: 167

2N6301

جزء الأسهم: 146

2N3507AL

جزء الأسهم: 131

2N6678

جزء الأسهم: 161

2N1016B

جزء الأسهم: 98

2N2946AUB

جزء الأسهم: 4164

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 1mA, 500mV,

2N5661

جزء الأسهم: 172

2N6338

جزء الأسهم: 77

2N6193

جزء الأسهم: 2105

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 2A, 2V,

2N5886

جزء الأسهم: 106

2N6212

جزء الأسهم: 132

2N3469

جزء الأسهم: 106

2N3501L

جزء الأسهم: 5154

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 300mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 150V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 15mA, 150mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

2N6377

جزء الأسهم: 154

2N3506A

جزء الأسهم: 125

2N5237

جزء الأسهم: 100

2N5093

جزء الأسهم: 165

2N4911

جزء الأسهم: 120

2N3637

جزء الأسهم: 102

2N3735

جزء الأسهم: 5163

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 900mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 1A, 1.5V,

2N6298

جزء الأسهم: 94

2N5052

جزء الأسهم: 92

2DD2656-7

جزء الأسهم: 183609

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 25mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 270 @ 100mA, 2V,