الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

IRGB4062DPBF

جزء الأسهم: 15219

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 48A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 72A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP35B60PD-EP

جزء الأسهم: 15758

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.55V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 308W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGR4045DTRPBF

جزء الأسهم: 63312

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 6A, أقصى القوة: 77W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGI4062DPBF

جزء الأسهم: 5664

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 22A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.58V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 48W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PH50S-EPBF

جزء الأسهم: 11454

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 57A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 114A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 33A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKD10N60R

جزء الأسهم: 6688

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG7PH37K10DPBF

جزء الأسهم: 6764

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 216W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG7CH81K10EF-R

جزء الأسهم: 6814

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 150A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP6640D-EPBF

جزء الأسهم: 6839

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 53A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 72A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IHW40T60FKSA1

جزء الأسهم: 6753

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 303W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKD15N60R

جزء الأسهم: 6733

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PH50KDPBF

جزء الأسهم: 7255

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 45A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

SGW15N60FKSA1

جزء الأسهم: 6745

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 31A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 62A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 139W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGR2B60KDPBF

جزء الأسهم: 39621

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6.3A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 8A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.25V @ 15V, 2A, أقصى القوة: 35W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG8CH29K10F

جزء الأسهم: 5698

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 25A,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGB4615DPBF

جزء الأسهم: 6790

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 24A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 99W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB5H60DF

جزء الأسهم: 106999

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 88W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB30NC60WT4

جزء الأسهم: 25014

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGQ50N60C4D1

جزء الأسهم: 6818

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 36A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH39N60BD1

جزء الأسهم: 6735

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 76A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 152A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 39A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGQ90N33TC

جزء الأسهم: 6677

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGL50N60BD1

جزء الأسهم: 6705

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGK120N120A3

جزء الأسهم: 2690

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 240A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 600A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 830W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXSX50N60BU1

جزء الأسهم: 6676

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH35N120C

جزء الأسهم: 6715

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 4V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH24N60BU1

جزء الأسهم: 6725

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 48A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXSR50N60BU1

جزء الأسهم: 6677

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGP50N33TBM-A

جزء الأسهم: 6700

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 50W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGR40N60B

جزء الأسهم: 8520

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGX82N120A3

جزء الأسهم: 3921

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 260A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 580A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 82A, أقصى القوة: 1250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBF50N360

جزء الأسهم: 1337

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 420A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGT40NS65DGTL

جزء الأسهم: 64766

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 161W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40T65SQD_F155

جزء الأسهم: 6871

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 238W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

TIG074E8-TL-H

جزء الأسهم: 104319

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5.4V @ 2.5V, 100A,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH1BF6RDPQ-80#T2

جزء الأسهم: 6799

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1100V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 55A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 55A, أقصى القوة: 227.2W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60T04DPQ-A1#T0

جزء الأسهم: 5597

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 208.3W,

إلى قائمة الأمنيات