الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

IRG4BC30FD-S

جزء الأسهم: 6886

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 31A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 17A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW75N65ES5XKSA1

جزء الأسهم: 10754

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.75V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 395W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG7PSH54K10DPBF

جزء الأسهم: 5778

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 520W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP4262DPBF

جزء الأسهم: 6750

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 96A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4BC30WPBF

جزء الأسهم: 28651

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 23A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 92A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG8P15N120KD-EPBF

جزء الأسهم: 6923

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 125W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG8P25N120KDPBF

جزء الأسهم: 6824

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 45A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 180W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG7PG42UDPBF

جزء الأسهم: 6779

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 320W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PC40FPBF

جزء الأسهم: 17204

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 49A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 27A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP6650DPBF

جزء الأسهم: 6811

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 306W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP4263PBF

جزء الأسهم: 6730

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 192A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 48A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGP01N120H2XKSA1

جزء الأسهم: 6692

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3.2A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 3.5A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 1A, أقصى القوة: 28W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4BC10SD-SPBF

جزء الأسهم: 35968

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 14A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 18A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 8A, أقصى القوة: 38W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGW25N120H3FKSA1

جزء الأسهم: 9971

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 326W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP35B60PDPBF

جزء الأسهم: 11449

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.55V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 308W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP4263D-EPBF

جزء الأسهم: 6760

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 192A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 48A, أقصى القوة: 325W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGR39N60B

جزء الأسهم: 6746

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 66A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 152A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 39A, أقصى القوة: 140W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH12N60CD1

جزء الأسهم: 5745

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 24A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 48A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 100W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGP15N120C

جزء الأسهم: 6745

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.8V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGR80N60B

جزء الأسهم: 4081

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGX35N120BD1

جزء الأسهم: 4891

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 70A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 140A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.3V @ 15V, 35A, أقصى القوة: 350W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGP90N33TCM-A

جزء الأسهم: 6689

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGX72N60C3H1

جزء الأسهم: 6539

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 540W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGX32N170AH1

جزء الأسهم: 2934

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5V @ 15V, 21A, أقصى القوة: 350W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH25N100U1

جزء الأسهم: 5711

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 200W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXSR50N60B

جزء الأسهم: 6696

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB25N120FLWG

جزء الأسهم: 14526

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 192W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB40N120FLWG

جزء الأسهم: 6772

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 260W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

HGTD1N120BNS9A

جزء الأسهم: 110867

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5.3A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 6A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 1A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGPF70N33BTTU

جزء الأسهم: 5665

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 330V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 220A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 48W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB45N60SWG

جزء الأسهم: 18877

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 45A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60D1DPP-E0#T2

جزء الأسهم: 6827

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 30W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60M3DPE-00#J3

جزء الأسهم: 6737

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 35A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 17A, أقصى القوة: 113W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJH60D1DPP-M0#T2

جزء الأسهم: 6759

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 10A, أقصى القوة: 30W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP12NB60HD

جزء الأسهم: 6956

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 125W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB8NC60KT4

جزء الأسهم: 83299

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 30A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.75V @ 15V, 3A, أقصى القوة: 65W,

إلى قائمة الأمنيات