الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

IKB20N65EH5ATMA1

جزء الأسهم: 382

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 38A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 125W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKQ75N120CS6XKSA1

جزء الأسهم: 710

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.15V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 880W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IHW40N135R3FKSA1

جزء الأسهم: 12671

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1350V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.85V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 429W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKB40N65EF5ATMA1

جزء الأسهم: 413

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 74A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IHW25N120R2FKSA1

جزء الأسهم: 400

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 365W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGU04N60TAKMA1

جزء الأسهم: 122853

نوع IGBT: Trench, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 12A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 4A, أقصى القوة: 42W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGP4640DPBF

جزء الأسهم: 12686

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 65A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 72A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 24A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH32N170A

جزء الأسهم: 3508

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 32A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 110A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5V @ 15V, 21A, أقصى القوة: 350W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYX120N120C3

جزء الأسهم: 2752

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 240A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 700A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 120A, أقصى القوة: 1500W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXK300N60C3

جزء الأسهم: 3248

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 510A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 1075A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 2300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYQ40N65C3D1

جزء الأسهم: 207

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.35V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXH40N65B4

جزء الأسهم: 16004

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 455W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYK100N120C3

جزء الأسهم: 3388

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 188A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 490A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 1150W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH36N60B3D1

جزء الأسهم: 12902

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGT16N170A

جزء الأسهم: 6979

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 5V @ 15V, 11A, أقصى القوة: 190W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBX75N170

جزء الأسهم: 1443

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 580A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.1V @ 15V, 75A, أقصى القوة: 1040W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBF9N160G

جزء الأسهم: 6805

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 7V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 70W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT42N170

جزء الأسهم: 3163

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 300A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 42A, أقصى القوة: 360W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH60N90C3

جزء الأسهم: 9864

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 900V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 140A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 310A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.7V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 750W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

MMIX1G120N120A3V1

جزء الأسهم: 1509

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 220A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 700A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 400W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB40N65IHL2WG

جزء الأسهم: 15225

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTD21T65F2WP

جزء الأسهم: 28668

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.9V @ 15V, 45A,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGA30S120P

جزء الأسهم: 11061

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 348W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTG20N60L2TF1G

جزء الأسهم: 36618

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 105A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.65V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 64W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGI3236-F085

جزء الأسهم: 2622

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 44A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.4V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 187W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

ISL9V3036S3ST

جزء الأسهم: 57552

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 360V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 21A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.6V @ 4V, 6A, أقصى القوة: 150W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTB40N120FL2WG

جزء الأسهم: 7703

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 535W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA15S120DF3

جزء الأسهم: 10160

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 259W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB40V60F

جزء الأسهم: 32232

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW40V60DLF

جزء الأسهم: 18285

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW15S120DF3

جزء الأسهم: 10529

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 60A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 15A, أقصى القوة: 259W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWA30H65FB

جزء الأسهم: 314

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

RJP6085DPK-00#T0

جزء الأسهم: 16923

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.5V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 178.5W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGTH60TS65GC11

جزء الأسهم: 22572

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 58A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 197W,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

NGB15N41ACLT4G

جزء الأسهم: 88361

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 440V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 15A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 4V, 10A, أقصى القوة: 107W,

إلى قائمة الأمنيات

Littelfuse Inc.

NGB8204ANT4G

جزء الأسهم: 88364

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 430V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 18A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 50A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 4V, 15A, أقصى القوة: 115W,

إلى قائمة الأمنيات