الترانزستورات - IGBTs - واحد | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 89

HGTG20N60B3

جزء الأسهم: 20869

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 165W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH40T65SPD-F085

جزء الأسهم: 2980

نوع IGBT: NPT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 267W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NGTD30T120F2SWK

جزء الأسهم: 18661

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع النبضي (Icm): 200A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 40A,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH60N60SFDTU-F085

جزء الأسهم: 2947

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 378W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGH60N60UFDTU-F085

جزء الأسهم: 2221

نوع IGBT: Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.9V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 298W,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

FGA30N120FTDTU

جزء الأسهم: 10979

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 90A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 339W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW80H65FB-4

جزء الأسهم: 8807

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 120A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 240A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 80A, أقصى القوة: 469W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGF30H60DF

جزء الأسهم: 23992

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 37W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGWT38IH130D

جزء الأسهم: 15290

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1300V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 63A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 125A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 250W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW40H120F2

جزء الأسهم: 7223

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.6V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 468W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP5H60DF

جزء الأسهم: 59614

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 88W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGP10NC60H

جزء الأسهم: 35594

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 20A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 5A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGB30H65FB

جزء الأسهم: 307

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 260W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW40H65DFB-4

جزء الأسهم: 1327

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 160A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 283W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGW25M120DF3

جزء الأسهم: 8166

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 375W,

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STGFW30NC60V

جزء الأسهم: 10872

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 36A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 80W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYN75N65C3D1

جزء الأسهم: 194

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 600W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXXP12N65B4D1

جزء الأسهم: 223

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 38A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 70A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.95V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXA55I1200HJ

جزء الأسهم: 5738

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 84A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 290W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH48N60C3D1

جزء الأسهم: 11649

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 250A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.5V @ 15V, 30A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH100N65C3

جزء الأسهم: 7912

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 420A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 70A, أقصى القوة: 830W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGP30N60C3

جزء الأسهم: 28268

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 60A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 220W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXYH16N170C

جزء الأسهم: 7580

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1700V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.8V @ 15V, 16A, أقصى القوة: 310W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXBT12N300HV

جزء الأسهم: 2835

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 3000V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 100A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3.2V @ 15V, 12A, أقصى القوة: 160W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGB200N60B3

جزء الأسهم: 3429

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 600A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.5V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 1250W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGK120N120B3

جزء الأسهم: 3245

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 370A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 3V @ 15V, 100A, أقصى القوة: 830W,

إلى قائمة الأمنيات

IXYS

IXGH48N60B3C1

جزء الأسهم: 2735

نوع IGBT: PT, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 75A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 280A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 32A, أقصى القوة: 300W,

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

RGT00TS65DGC11

جزء الأسهم: 2750

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 85A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.1V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 277W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW60N60H3FKSA1

جزء الأسهم: 14802

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 180A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.3V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 416W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGW25T120FKSA1

جزء الأسهم: 2279

نوع IGBT: NPT, Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 75A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.2V @ 15V, 25A, أقصى القوة: 190W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRGPS46160DPBF

جزء الأسهم: 4230

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 240A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.05V @ 15V, 120A, أقصى القوة: 750W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4BC20KDSTRLP

جزء الأسهم: 43739

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 16A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 32A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.8V @ 15V, 9A, أقصى القوة: 60W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IKW20N60H3FKSA1

جزء الأسهم: 21111

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 40A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 80A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2.4V @ 15V, 20A, أقصى القوة: 170W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IGW50N60TFKSA1

جزء الأسهم: 370

نوع IGBT: Trench Field Stop, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 150A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 2V @ 15V, 50A, أقصى القوة: 333W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IHW40N65R5XKSA1

جزء الأسهم: 17870

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 650V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 80A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 120A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.7V @ 15V, 40A, أقصى القوة: 230W,

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

IRG4PC60FPBF

جزء الأسهم: 9805

الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 600V, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 90A, التيار - المجمع النبضي (Icm): 360A, Vce (on) (Max) @ Vge، Ic: 1.8V @ 15V, 60A, أقصى القوة: 520W,

إلى قائمة الأمنيات