الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف

MMDT5551-7

جزء الأسهم: 4384

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 160V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

ZXTC2062E6TA

جزء الأسهم: 183922

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, 3.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 190mV @ 200mA, 4A / 250mV @ 175mA, 3.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 280 @ 1A, 2V / 170 @ 1A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

ZDT617TC

جزء الأسهم: 4586

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 200mV @ 50mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 200mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

MMDT4126-7

جزء الأسهم: 5660

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

ZDT751TA

جزء الأسهم: 129833

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

DSS4160FDB-7

جزء الأسهم: 104821

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 240mV @ 50mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 500mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

MMDT4146-7-F

جزء الأسهم: 143993

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA / 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

MMDT3906VC-7

جزء الأسهم: 126235

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

ZDT1049TC

جزء الأسهم: 4486

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 220mV @ 50mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Central Semiconductor Corp

MMDT3904VC-7

جزء الأسهم: 104531

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

MD8003

جزء الأسهم: 4477

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Central Semiconductor Corp

CMLT8099 TR

جزء الأسهم: 140118

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Toshiba Semiconductor and Storage

ULN2004AFWG,N,E

جزء الأسهم: 124168

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

MBT3904DW1T1H

جزء الأسهم: 101843

إلى قائمة الأمنيات

NSV60100DMTWTBG

جزء الأسهم: 119511

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 100mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 500mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

NSVT30010MXV6T1G

جزء الأسهم: 190882

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 420 @ 2mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

SBC847CDXV6T1G

جزء الأسهم: 134785

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 15nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 420 @ 2mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

NSV40301MDR2G

جزء الأسهم: 122484

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 115mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

JANTXV2N3810L

جزء الأسهم: 163

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

JANTXV2N2920

جزء الأسهم: 1620

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V,

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

JANSR2N3810U

جزء الأسهم: 301

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 1mA, 100µA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 1mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Micro Commercial Co

MMDT4403-TP

جزء الأسهم: 145891

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

Micro Commercial Co

MMDT3906-TP

جزء الأسهم: 128439

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

PBSS5160DS,115

جزء الأسهم: 133335

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 770mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 330mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 500mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

PBSS4130PAN,115

جزء الأسهم: 150996

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 100mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 210 @ 500mA, 2V,

إلى قائمة الأمنيات

PMBT3906YS,115

جزء الأسهم: 133965

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10mA, 1V,

إلى قائمة الأمنيات

PBSS4032SP,115

جزء الأسهم: 155040

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4.8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 510mV @ 250mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 2A, 2V,

إلى قائمة الأمنيات