الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - صفائف

ULQ2804A

جزء الأسهم: 73240

نوع الترانزستور: 8 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

PBSS2515VPN,115

جزء الأسهم: 126417

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 100mA, 2V,

PBSS4230PANP,115

جزء الأسهم: 195250

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 290mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 1A, 2V,

PBSS2515YPN,115

جزء الأسهم: 135145

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 15V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 100mA, 2V,

UMX3NTR

جزء الأسهم: 161100

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

IMT4T108

جزء الأسهم: 120898

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 6V,

EMZ1T2R

جزء الأسهم: 159590

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

EMX2T2R

جزء الأسهم: 130305

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 1mA, 6V,

UMX5NTR

جزء الأسهم: 180998

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 11V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 56 @ 5mA, 10V,

MD2219A

جزء الأسهم: 3488

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CMLT5087EM TR

جزء الأسهم: 165535

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 100µA, 5V,

MPQ3799

جزء الأسهم: 12623

نوع الترانزستور: 4 PNP (Quad), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 10mA, 5V,

CEN955 W/DATA

جزء الأسهم: 6519

ECH8502-TL-H

جزء الأسهم: 196927

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 120mV @ 125mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

ECH8501-TL-H

جزء الأسهم: 192899

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 110mV @ 125mA, 2.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

FMB2907A

جزء الأسهم: 153935

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

CPH5541-TL-E

جزء الأسهم: 131817

نوع الترانزستور: NPN, PNP (Emitter Coupled), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 700mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 190mV @ 10mA, 200mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 50mA, 2V,

ZXT12P40DXTA

جزء الأسهم: 89233

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 260mV @ 100mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 1A, 2V,

MMDT4124-7

جزء الأسهم: 4457

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 2mA, 1V,

ZXTDE4M832TA

جزء الأسهم: 4403

نوع الترانزستور: NPN, PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3.5A, 2.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, 70V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 325mV @ 300mA, 3.5A / 260mV @ 200mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 25nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V,

ULN2003VAS16-13

جزء الأسهم: 4527

ZDT690TA

جزء الأسهم: 4443

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 400 @ 1A, 2V,

MMDT4403-7

جزء الأسهم: 4391

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 2V,

IMX8-7

جزء الأسهم: 6486

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 180 @ 2mA, 6V,

ULN2003AD

جزء الأسهم: 103189

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA,

SN75469N

جزء الأسهم: 71189

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

ULN2003LVDR

جزء الأسهم: 142279

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA,

SN75469DG4

جزء الأسهم: 123958

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA,

SLA4036

جزء الأسهم: 26480

التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V,

SMA4032

جزء الأسهم: 17965

نوع الترانزستور: 4 NPN Darlington (Quad), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 3mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 2000 @ 1.5A, 4V,

SMA4020

جزء الأسهم: 34621

نوع الترانزستور: 4 PNP Darlington (Quad), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 4A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 6mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 2000 @ 3A, 4V,

SG2003J-883B

جزء الأسهم: 4460

نوع الترانزستور: 7 NPN Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

JANTXV2N3810

جزء الأسهم: 1613

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 1mA, 5V,

JAN2N2919L

جزء الأسهم: 1921

نوع الترانزستور: 2 NPN (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 30mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 1mA, 5V,

JAN2N6987

جزء الأسهم: 1383

نوع الترانزستور: 4 PNP (Quad), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

HN1A01F-GR(TE85L,F

جزء الأسهم: 4432

نوع الترانزستور: 2 PNP (Dual), التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 150mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 2mA, 6V,