Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - المصفوفات

VS-16CTQ080S-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-16CTQ080S-M3

جزء الأسهم: 85835

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-43CTQ100-011HN3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-43CTQ100-011HN3

جزء الأسهم: 40430

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 810mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-15CTQ035STRR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-15CTQ035STRR-M3

جزء الأسهم: 91136

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-32CTQ025STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025STRLHM3

جزء الأسهم: 52402

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 25V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-MBRD650CTTR-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MBRD650CTTR-M3

جزء الأسهم: 159302

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-4CSH01-M3/86A
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-4CSH01-M3/86A

جزء الأسهم: 186384

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-32CTQ030STRLHM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ030STRLHM3

جزء الأسهم: 52472

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-32CTQ025-1HM3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-32CTQ025-1HM3

جزء الأسهم: 63269

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 25V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 490mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SS8P4CHM3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division

SS8P4CHM3_A/I

جزء الأسهم: 180307

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
VS-6CWQ03FNTRL-M3
Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-6CWQ03FNTRL-M3

جزء الأسهم: 169876

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 3.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MSRT250120(A)
GeneSiC Semiconductor

MSRT250120(A)

جزء الأسهم: 1374

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 250A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 250A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR60040CTR
GeneSiC Semiconductor

MBR60040CTR

جزء الأسهم: 665

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF10L100CT C0G

جزء الأسهم: 149

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR1560CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1560CTHC0G

جزء الأسهم: 160

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF2090CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2090CT C0G

جزء الأسهم: 130

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF20100CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20100CTHC0G

جزء الأسهم: 73

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
UGF2005GHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

UGF2005GHC0G

جزء الأسهم: 106

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR20150PTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR20150PTHC0G

جزء الأسهم: 156

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR1620HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR1620HC0G

جزء الأسهم: 104

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HER1004G C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

HER1004G C0G

جزء الأسهم: 130

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF20150CTHC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF20150CTHC0G

جزء الأسهم: 78

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.05V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR10L100CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR10L100CT C0G

جزء الأسهم: 119

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR1545CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR1545CT C0G

جزء الأسهم: 96

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SR10100HC0G
Taiwan Semiconductor Corporation

SR10100HC0G

جزء الأسهم: 107

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBR15150CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBR15150CT C0G

جزء الأسهم: 128

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.05V @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
SRS16100HMNG
Taiwan Semiconductor Corporation

SRS16100HMNG

جزء الأسهم: 79

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
MBRF2535CT C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

MBRF2535CT C0G

جزء الأسهم: 145

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 820mV @ 12.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
GP1601 C0G
Taiwan Semiconductor Corporation

GP1601 C0G

جزء الأسهم: 106

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 8A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
FERD40M45CG-TR
STMicroelectronics

FERD40M45CG-TR

جزء الأسهم: 94309

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: FERD (Field Effect Rectifier Diode), الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
STTH2003CGY-TR
STMicroelectronics

STTH2003CGY-TR

جزء الأسهم: 51763

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
HN2D01FTE85LF
Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

جزء الأسهم: 146

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 80mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
CDBD20100-HF
Comchip Technology

CDBD20100-HF

جزء الأسهم: 101509

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 20A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
CDBT-70C-G
Comchip Technology

CDBT-70C-G

جزء الأسهم: 156683

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 70mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 15mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
CDBV3-54S-G
Comchip Technology

CDBV3-54S-G

جزء الأسهم: 124599

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات
CDBD10200-G
Comchip Technology

CDBD10200-G

جزء الأسهم: 119712

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات
NRVHP420MFDWFT1G
ON Semiconductor

NRVHP420MFDWFT1G

جزء الأسهم: 80

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط ​​المعدل (Io) (لكل ديود): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات