الثنائيات - المقومات - المصفوفات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SBR20150CT

جزء الأسهم: 101440

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

SMC Diode Solutions

SDUR1620CT

جزء الأسهم: 135444

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Rohm Semiconductor

UMN20NFHTR

جزء الأسهم: 103

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20M120C-M3/4W

جزء الأسهم: 106664

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 910mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V10170C-M3/4W

جزء الأسهم: 88004

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 170V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.03V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT1080C-E3/4W

جزء الأسهم: 153775

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 720mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI40100C-M3/4W

جزء الأسهم: 64806

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 730mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V30DM150CHM3/I

جزء الأسهم: 95

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V40D120CHM3/I

جزء الأسهم: 72205

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 890mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VF30M120C-M3/4W

جزء الأسهم: 106695

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 120V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 980mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT30L60C-M3/4W

جزء الأسهم: 87772

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT2045C-M3/4W

جزء الأسهم: 100703

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VIT2060C-M3/4W

جزء الأسهم: 112838

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-VSHD320CW40

جزء الأسهم: 1764

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 160A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 360A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VT1045CBP-M3/4W

جزء الأسهم: 129918

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VFT3060C-M3/4W

جزء الأسهم: 116241

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

V15W60C-M3/I

جزء الأسهم: 140876

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 7.5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VI20200C-E3/4W

جزء الأسهم: 86172

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBRT30045

جزء الأسهم: 1259

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR60040CT

جزء الأسهم: 792

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

FST10035

جزء الأسهم: 1520

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 650mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURTA200120R

جزء الأسهم: 942

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.6V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURTA300120

جزء الأسهم: 1023

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.6V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR500100CT

جزء الأسهم: 1147

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBRT200150R

جزء الأسهم: 1663

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURT30020R

جزء الأسهم: 1097

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBRT40080

جزء الأسهم: 1313

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURTA20060R

جزء الأسهم: 1006

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR120150CTR

جزء الأسهم: 1494

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 60A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Taiwan Semiconductor Corporation

HER1608G C0G

جزء الأسهم: 121

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 16A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

DD285N02KHPSA1

جزء الأسهم: 58

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 285A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 800A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Cree/Wolfspeed

C2D10120D

جزء الأسهم: 4546

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.8V @ 5A, سرعة: No Recovery Time > 500mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Micro Commercial Co

MD200A16D2-BP

جزء الأسهم: 1461

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Micro Commercial Co

MF200K06F3-BP

جزء الأسهم: 2343

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

SBRV660VCTT4G

جزء الأسهم: 146140

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

SBRB1545CTG

جزء الأسهم: 79461

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 7.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات