الثنائيات - المقومات - المصفوفات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

MF200K06F2-BP

جزء الأسهم: 2096

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 200A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURTA60040R

جزء الأسهم: 1014

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X120A060

جزء الأسهم: 3220

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 120A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURT20005

جزء الأسهم: 1230

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MUR20010CTR

جزء الأسهم: 1241

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MSRT150100(A)D

جزء الأسهم: 1863

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 150A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURTA40040R

جزء الأسهم: 964

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MSRT100140(A)D

جزء الأسهم: 1918

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 100A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBRT60035R

جزء الأسهم: 968

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 600A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 300A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X160A150

جزء الأسهم: 2527

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 160A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 160A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBRT20035R

جزء الأسهم: 1367

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MUR40010CTR

جزء الأسهم: 1252

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 400A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 125A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MUR30010CTR

جزء الأسهم: 1392

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR200150CTR

جزء الأسهم: 1502

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MUR20005CT

جزء الأسهم: 1207

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR300200CT

جزء الأسهم: 1452

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 150A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 150A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MUR2X100A04

جزء الأسهم: 2843

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MUR30040CTR

جزء الأسهم: 1329

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 300A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR12060CT

جزء الأسهم: 1522

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 60A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBR2X100A060

جزء الأسهم: 3312

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

FST100200

جزء الأسهم: 1661

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 50A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 920mV @ 50A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MBRT500100R

جزء الأسهم: 1083

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 500A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 880mV @ 250A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

GeneSiC Semiconductor

MURTA40020R

جزء الأسهم: 985

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 200A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Vishay Semiconductor Diodes Division

VS-MURB1620CTPBF

جزء الأسهم: 37

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 975mV @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

SBAS40-06LT1G

جزء الأسهم: 116103

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 120mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 40mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

MBR4045WTG

جزء الأسهم: 18105

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 45V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

MMBD1405A

جزء الأسهم: 134157

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 175V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NRVBD650CTT4G-VF01

جزء الأسهم: 146097

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

NRVBB2060CTT4G

جزء الأسهم: 161027

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

MSCD200-12

جزء الأسهم: 1707

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Microsemi Corporation

MSCD200-16

جزء الأسهم: 1634

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 300A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Infineon Technologies

DD340N18SHPSA1

جزء الأسهم: 72

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1800V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 330A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

STMicroelectronics

STPSC20H065CWY

جزء الأسهم: 9239

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Silicon Carbide Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.75V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Sensata-Crydom

F1892RD1200

جزء الأسهم: 738

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 90A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 270A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Power Integrations

LQA10N150C

جزء الأسهم: 150976

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات

Sanken

FMD-4206S

جزء الأسهم: 20421

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

إلى قائمة الأمنيات