الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

AOD403_DELTA

جزء الأسهم: 2127

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD4102L

جزء الأسهم: 2167

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Ta), 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 37 mOhm @ 12A, 10V,

AOD403_030

جزء الأسهم: 2111

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), 70A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 20V,

AOD206_030

جزء الأسهم: 2125

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 4.5V,

AO6411

جزء الأسهم: 2171

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V,

AO7403_001

جزء الأسهم: 2111

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 700mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 470 mOhm @ 700mA, 4.5V,

AO5404E_001

جزء الأسهم: 2169

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO5404EL

جزء الأسهم: 2148

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 500mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 550 mOhm @ 500mA, 4.5V,

AO4771L

جزء الأسهم: 2144

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 68 mOhm @ 4A, 10V,

AO4710L_101

جزء الأسهم: 6241

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12.7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.8 mOhm @ 12.7A, 10V,

AO4488L_101

جزء الأسهم: 2124

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.6 mOhm @ 20A, 10V,

AO4498EL

جزء الأسهم: 2189

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.8 mOhm @ 18A, 10V,

AO4485_102

جزء الأسهم: 2105

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 10A, 10V,

AO4404BL_101

جزء الأسهم: 2103

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 24 mOhm @ 8.5A, 10V,

AO4437L

جزء الأسهم: 2175

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 11A, 4.5V,

AO4202_120

جزء الأسهم: 2149

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.3 mOhm @ 19A, 10V,

AOY516

جزء الأسهم: 6234

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 46A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AON6516_151

جزء الأسهم: 6224

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V,

AON7548

جزء الأسهم: 6244

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

AOD526

جزء الأسهم: 2176

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

AOI452A

جزء الأسهم: 2100

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 55A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 20A, 10V,

AOD516_051

جزء الأسهم: 6275

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V,

AOD518_051

جزء الأسهم: 2140

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V,

AOB20C60

جزء الأسهم: 6275

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 250 mOhm @ 10A, 10V,

AOD4160

جزء الأسهم: 2097

AOB11C60

جزء الأسهم: 2095

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 440 mOhm @ 5.5A, 10V,

AO4304_001

جزء الأسهم: 6227

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V,

AO4264

جزء الأسهم: 2161

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 12A, 10V,

AUXMOS20956STR

جزء الأسهم: 2131

AUXS20956S

جزء الأسهم: 2187

APT80SM120S

جزء الأسهم: 2172

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120J

جزء الأسهم: 2121

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 51A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT80SM120B

جزء الأسهم: 2112

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 55 mOhm @ 40A, 20V,

APT70SM70J

جزء الأسهم: 6264

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 49A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT70SM70S

جزء الأسهم: 2124

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 700V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 65A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 20V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 70 mOhm @ 32.5A, 20V,

APT25SM120S

جزء الأسهم: 2166

نوع FET: N-Channel, تقنية: SiCFET (Silicon Carbide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 175 mOhm @ 10A, 20V,