يكتب | وصف |
حالة الجزء | Obsolete |
---|---|
نوع FET | N-Channel |
تقنية | SiCFET (Silicon Carbide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 1200V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 80A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 20V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 55 mOhm @ 40A, 20V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 235nC @ 20V |
Vgs (ماكس) | +25V, -10V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | - |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 625W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 175°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | D3Pak |
العبوة / العلبة | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |