الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

2SJ438(AISIN,A,Q)

جزء الأسهم: 2215

إلى قائمة الأمنيات

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 Ohm @ 10mA, 2.5V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SJ661-1EX

جزء الأسهم: 2203

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SJ652-1EX

جزء الأسهم: 2120

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

جزء الأسهم: 2164

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3703-1EX

جزء الأسهم: 2124

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

جزء الأسهم: 2140

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4125-1EX

جزء الأسهم: 2103

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4098FS

جزء الأسهم: 2085

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4125-1E

جزء الأسهم: 6248

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 17A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

جزء الأسهم: 198740

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

جزء الأسهم: 1876

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4124-1E

جزء الأسهم: 6267

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

جزء الأسهم: 1869

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

جزء الأسهم: 1874

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

جزء الأسهم: 1810

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

جزء الأسهم: 1812

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4066-1E

جزء الأسهم: 1849

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

جزء الأسهم: 1839

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

جزء الأسهم: 1813

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3748-1E

جزء الأسهم: 10717

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

جزء الأسهم: 1843

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2N7002WST1G

جزء الأسهم: 1836

محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

ON Semiconductor

2SK3707-1E

جزء الأسهم: 1889

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Panasonic Electronic Components

2SK3064G0L

جزء الأسهم: 2106

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 Ohm @ 10mA, 5V,

إلى قائمة الأمنيات

Central Semiconductor Corp

2N7002 BK

جزء الأسهم: 163082

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 115mA (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

2SK3431-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 1978

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 83A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

2SK3431-AZ

جزء الأسهم: 1997

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 83A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.6 mOhm @ 42A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

2SK3430-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 1915

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.3 mOhm @ 40A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات

Renesas Electronics America

2SK1518-E

جزء الأسهم: 1995

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 270 mOhm @ 10A, 10V,

إلى قائمة الأمنيات