الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

2SK3048

جزء الأسهم: 32345

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 2A, 10V,

2SK3043

جزء الأسهم: 31742

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 450V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.3 Ohm @ 3A, 10V,

2SK3046

جزء الأسهم: 24158

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 Ohm @ 4A, 10V,

2N6660

جزء الأسهم: 6315

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 410mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

2SK3746-1E

جزء الأسهم: 15517

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SK3703-1E

جزء الأسهم: 40945

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

2SJ652-1E

جزء الأسهم: 33065

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

2SK3745LS-1E

جزء الأسهم: 18892

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SK3747-1E

جزء الأسهم: 15610

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SK4177-DL-1E

جزء الأسهم: 30646

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

2SJ661-DL-1E

جزء الأسهم: 57287

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

2SK1835-E

جزء الأسهم: 8930

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 1500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 15V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 Ohm @ 2A, 15V,

2SK3901(0)-ZK-E1-AY

جزء الأسهم: 2431

2SK3902(0)-ZK-E1-AY

جزء الأسهم: 2436

2SK3899(0)-ZK-E1-AZ

جزء الأسهم: 2376

2SK3814(01)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2410

2SK3814(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2381

2SK3813(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2411

2SK3813-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2410

2SK3484(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2432

2SK3755-AZ

جزء الأسهم: 2464

2SK3483(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2426

2SK3483(0)-Z-E1-AY

جزء الأسهم: 2373

2SK3430(02)-S6-AZ

جزء الأسهم: 2429

2SK3402(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2448

2SK3386(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2405

2SK3377-Z-E2-AZ

جزء الأسهم: 2421

2SK3377-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2392

2SK3377(0)-Z-E2-AZ

جزء الأسهم: 2444

2SK3377(0)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2402

2SK3367(01)-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2401

2SK3353-Z-E1-AZ

جزء الأسهم: 2397

2SJ648-T1-A

جزء الأسهم: 2396

2SK3564(STA4,Q,M)

جزء الأسهم: 36814

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 900V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 Ohm @ 1.5A, 10V,

2N7002PM,315

جزء الأسهم: 2530

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V,

2N7002T,215

جزء الأسهم: 2571

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 300mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,