Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

IRF630PBF
Vishay Siliconix

IRF630PBF

جزء الأسهم: 61030

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 400 mOhm @ 5.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1069X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1069X-T1-GE3

جزء الأسهم: 167518

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 184 mOhm @ 940mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIHP24N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP24N65E-GE3

جزء الأسهم: 11654

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5415AEDU-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI5415AEDU-T1-GE3

جزء الأسهم: 192191

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.6 mOhm @ 10A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7116DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7116DN-T1-E3

جزء الأسهم: 74965

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.8 mOhm @ 16.4A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFR9214PBF
Vishay Siliconix

IRFR9214PBF

جزء الأسهم: 46648

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 Ohm @ 1.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA415DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA415DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 182929

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 5.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUD19P06-60L-E3
Vishay Siliconix

SUD19P06-60L-E3

جزء الأسهم: 125159

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ486EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ486EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 165181

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 75V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 51A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG33N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG33N60E-GE3

جزء الأسهم: 9978

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA418DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA418DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 115181

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 9A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3443BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3443BDV-T1-E3

جزء الأسهم: 115293

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7119DN-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7119DN-T1-E3

جزء الأسهم: 164009

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.05 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA444DJT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA444DJT-T1-GE3

جزء الأسهم: 190064

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17 mOhm @ 7.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE868DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE868DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 60974

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4186DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4186DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 135918

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI5404BDC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5404BDC-T1-E3

جزء الأسهم: 105827

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 5.4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7164DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7164DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 63494

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.25 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFP27N60KPBF
Vishay Siliconix

IRFP27N60KPBF

جزء الأسهم: 8963

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 220 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2319CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2319CDS-T1-GE3

جزء الأسهم: 166284

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 77 mOhm @ 3.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR892DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR892DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 54262

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP22N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP22N60E-GE3

جزء الأسهم: 16471

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD50N06-09L-E3
Vishay Siliconix

SUD50N06-09L-E3

جزء الأسهم: 54264

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.3 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ476EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ476EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 119114

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR422DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR422DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 139862

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2306BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2306BDS-T1-E3

جزء الأسهم: 125659

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.16A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7141DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7141DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 65801

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.9 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ459EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ459EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 136666

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 52A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7655ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7655ADN-T1-GE3

جزء الأسهم: 178778

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ2315ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2315ES-T1_GE3

جزء الأسهم: 126329

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3442BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3442BDV-T1-E3

جزء الأسهم: 121173

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIHG22N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG22N65E-GE3

جزء الأسهم: 12610

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE810DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE810DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 40414

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SISA18ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA18ADN-T1-GE3

جزء الأسهم: 138151

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 38.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ456EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ456EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 29509

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 9.3A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHH14N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH14N65EF-T1-GE3

جزء الأسهم: 25762

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 271 mOhm @ 7A, 10V,

قائمة الرغبات