Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SIHG21N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHG21N65EF-GE3

جزء الأسهم: 12350

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1422DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1422DH-T1-GE3

جزء الأسهم: 107910

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SQJ422EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ422EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 105698

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 74A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.4 mOhm @ 18A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHF22N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHF22N60E-GE3

جزء الأسهم: 32877

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG24N65E-GE3
Vishay Siliconix

SIHG24N65E-GE3

جزء الأسهم: 10853

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP28N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHP28N65EF-GE3

جزء الأسهم: 10311

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3433CDV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3433CDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 120260

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 38 mOhm @ 5.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SISA24DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISA24DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 187428

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.4 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHG28N60EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHG28N60EF-GE3

جزء الأسهم: 10031

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4056DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4056DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 199641

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 23 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA414DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA414DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 176137

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7149DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7149DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 96788

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.2 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRF830STRLPBF
Vishay Siliconix

IRF830STRLPBF

جزء الأسهم: 54793

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 Ohm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHB21N65EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHB21N65EF-GE3

جزء الأسهم: 13053

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SI2307BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2307BDS-T1-E3

جزء الأسهم: 153121

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 78 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3458BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3458BDV-T1-E3

جزء الأسهم: 199617

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3493BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3493BDV-T1-E3

جزء الأسهم: 137186

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27.5 mOhm @ 7A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUD50P08-25L-E3
Vishay Siliconix

SUD50P08-25L-E3

جزء الأسهم: 57347

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25.2 mOhm @ 12.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR692DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR692DP-T1-RE3

جزء الأسهم: 85603

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24.2A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 63 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SQD25N15-52_GE3
Vishay Siliconix

SQD25N15-52_GE3

جزء الأسهم: 39824

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLL014TRPBF
Vishay Siliconix

IRLL014TRPBF

جزء الأسهم: 156687

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 5V,

قائمة الرغبات
SQ2361AEES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2361AEES-T1_GE3

جزء الأسهم: 158861

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SISS26DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS26DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 32308

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.5 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8429DB-T1-E1
Vishay Siliconix

SI8429DB-T1-E1

جزء الأسهم: 158589

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUD45P03-09-GE3
Vishay Siliconix

SUD45P03-09-GE3

جزء الأسهم: 124843

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 45A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHH24N65EF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH24N65EF-T1-GE3

جزء الأسهم: 16548

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 158 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD08P06-155L-GE3
Vishay Siliconix

SUD08P06-155L-GE3

جزء الأسهم: 193963

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ3427AEEV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3427AEEV-T1_GE3

جزء الأسهم: 184741

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 4.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1330EDL-T1-E3
Vishay Siliconix

SI1330EDL-T1-E3

جزء الأسهم: 118364

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 240mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.5 Ohm @ 250mA, 10V,

قائمة الرغبات
SUM110N10-09-E3
Vishay Siliconix

SUM110N10-09-E3

جزء الأسهم: 42606

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SI1441EDH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1441EDH-T1-GE3

جزء الأسهم: 126542

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 41 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SUD50N03-09P-E3
Vishay Siliconix

SUD50N03-09P-E3

جزء الأسهم: 98650

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 63A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8483DB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8483DB-T2-E1

جزء الأسهم: 167358

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 16A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 26 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7421DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7421DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 113309

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6.4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 9.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR800DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR800DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 93648

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHW47N60EF-GE3
Vishay Siliconix

SIHW47N60EF-GE3

جزء الأسهم: 10860

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 47A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 65 mOhm @ 24A, 10V,

قائمة الرغبات