الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 100

SIHG33N60E-E3

جزء الأسهم: 8448

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIS427EDN-T1-GE3

جزء الأسهم: 163221

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.6 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHG33N60EF-GE3

جزء الأسهم: 9937

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 98 mOhm @ 16.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRF9640STRLPBF

جزء الأسهم: 73327

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 11A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 6.6A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHB28N60EF-GE3

جزء الأسهم: 21389

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 123 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2302DDS-T1-GE3

جزء الأسهم: 173909

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.9A (Tj), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 57 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIRA00DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 70111

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3440DV-T1-GE3

جزء الأسهم: 132457

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 375 mOhm @ 1.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHB22N60E-GE3

جزء الأسهم: 16074

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHW33N60E-GE3

جزء الأسهم: 9974

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4423DY-T1-E3

جزء الأسهم: 73517

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 14A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIR850DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 148607

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI7143DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 118957

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10 mOhm @ 16.1A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SISS10DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 162387

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIA425EDJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 167044

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 60 mOhm @ 4.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHP17N80E-GE3

جزء الأسهم: 13737

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 800V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 290 mOhm @ 8.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2307CDS-T1-E3

جزء الأسهم: 132144

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 88 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHB33N60E-GE3

جزء الأسهم: 10723

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 99 mOhm @ 16.5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHG22N60E-GE3

جزء الأسهم: 14884

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHA22N60E-E3

جزء الأسهم: 17046

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SQ3426EV-T1_GE3

جزء الأسهم: 174027

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI8409DB-T1-E1

جزء الأسهم: 148595

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1011X-T1-GE3

جزء الأسهم: 187591

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 640 mOhm @ 400mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIB452DK-T1-GE3

جزء الأسهم: 137221

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 190V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.4 Ohm @ 500mA, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI3458BDV-T1-GE3

جزء الأسهم: 199643

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.1A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 100 mOhm @ 3.2A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHB22N60AE-GE3

جزء الأسهم: 17115

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI8802DB-T2-E1

جزء الأسهم: 163785

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 54 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1469DH-T1-E3

جزء الأسهم: 160934

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 80 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2367DS-T1-GE3

جزء الأسهم: 177196

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 66 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SIHG28N65EF-GE3

جزء الأسهم: 9545

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 28A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 117 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

IRFR310TRPBF

جزء الأسهم: 191323

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 400V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.6 Ohm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI1411DH-T1-GE3

جزء الأسهم: 128678

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 420mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 Ohm @ 500mA, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-E3

جزء الأسهم: 99308

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4488DY-T1-E3

جزء الأسهم: 91549

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 50 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI2343DS-T1-GE3

جزء الأسهم: 146234

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.1A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 53 mOhm @ 4A, 10V,

قائمة الرغبات

Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 165746

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 25V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 18A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات