يكتب | وصف |
حالة الجزء | Active |
---|---|
نوع FET | P-Channel |
تقنية | MOSFET (Metal Oxide) |
استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss) | 12V |
التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية | 16A (Tc) |
محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs | 26 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 800mV @ 250µA |
بوابة المسؤول (Qg) (الحد الأقصى) @ Vgs | 65nC @ 10V |
Vgs (ماكس) | ±10V |
سعة الإدخال (كيبك) (الحد الأقصى) @ Vds | 1840pF @ 6V |
ميزة FET | - |
تبديد الطاقة (الحد الأقصى) | 2.77W (Ta), 13W (Tc) |
درجة حرارة التشغيل | -55°C ~ 150°C (TJ) |
نوع التركيب | Surface Mount |
حزمة جهاز المورد | 6-Micro Foot™ (1.5x1) |
العبوة / العلبة | 6-UFBGA |
وضع بنفايات | بنفايات متوافقة مع |
---|---|
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) | لا ينطبق |
حالة دورة حياة | عفا عليها الزمن / نهاية الحياة |
فئة الأسهم | المخزون المتوفر |