Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SQM120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N10-3M8_GE3

جزء الأسهم: 38953

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7414DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7414DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 128182

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 8.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ3456BEV-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ3456BEV-T1_GE3

جزء الأسهم: 180919

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM40014EM_GE3
Vishay Siliconix

SQM40014EM_GE3

جزء الأسهم: 8185

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 35A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4463BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4463BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 124207

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11 mOhm @ 13.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP23N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP23N60E-GE3

جزء الأسهم: 40977

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 23A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 158 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ488EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ488EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 102542

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 42A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 7.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7478DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 72362

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQP120N10-3M8_GE3
Vishay Siliconix

SQP120N10-3M8_GE3

جزء الأسهم: 8429

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE812DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE812DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 40462

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM110P06-07L-E3
Vishay Siliconix

SUM110P06-07L-E3

جزء الأسهم: 43657

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM110P08-11L-E3
Vishay Siliconix

SUM110P08-11L-E3

جزء الأسهم: 26593

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 110A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 11.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM85N15-19_GE3
Vishay Siliconix

SQM85N15-19_GE3

جزء الأسهم: 41153

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 85A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 19 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM70101EL-GE3
Vishay Siliconix

SUM70101EL-GE3

جزء الأسهم: 5857

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.1 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHH11N65E-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH11N65E-T1-GE3

جزء الأسهم: 31998

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 363 mOhm @ 6A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP7N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHP7N60E-GE3

جزء الأسهم: 31909

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHA21N65EF-E3
Vishay Siliconix

SIHA21N65EF-E3

جزء الأسهم: 14182

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 21A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 180 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
IRLL110TRPBF
Vishay Siliconix

IRLL110TRPBF

جزء الأسهم: 177510

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 540 mOhm @ 900mA, 5V,

قائمة الرغبات
SIHH21N60EF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIHH21N60EF-T1-GE3

جزء الأسهم: 24041

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 185 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHB24N65ET1-GE3
Vishay Siliconix

SIHB24N65ET1-GE3

جزء الأسهم: 8432

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 650V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 24A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 145 mOhm @ 12A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM100N10-10_GE3
Vishay Siliconix

SQM100N10-10_GE3

جزء الأسهم: 43589

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 10.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE808DF-T1-E3
Vishay Siliconix

SIE808DF-T1-E3

جزء الأسهم: 35075

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7439DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7439DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 35018

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 90 mOhm @ 5.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM70040M-GE3
Vishay Siliconix

SUM70040M-GE3

جزء الأسهم: 40354

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHB20N50E-GE3
Vishay Siliconix

SIHB20N50E-GE3

جزء الأسهم: 20238

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 500V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 19A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 184 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM50020EL-GE3
Vishay Siliconix

SUM50020EL-GE3

جزء الأسهم: 40423

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.1 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHP15N60E-E3
Vishay Siliconix

SIHP15N60E-E3

جزء الأسهم: 22504

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 15A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 280 mOhm @ 8A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM120N06-06_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N06-06_GE3

جزء الأسهم: 5875

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SUM40010EL-GE3
Vishay Siliconix

SUM40010EL-GE3

جزء الأسهم: 42698

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.6 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7336ADP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7336ADP-T1-E3

جزء الأسهم: 110356

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

قائمة الرغبات
SQP90P06-07L_GE3
Vishay Siliconix

SQP90P06-07L_GE3

جزء الأسهم: 8376

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.7 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM120N03-1M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQM120N03-1M5L_GE3

جزء الأسهم: 39214

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 120A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SIDR610DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR610DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 8141

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.9A (Ta), 39.6A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 31.9 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA459EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA459EDJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 190565

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 35 mOhm @ 5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SQP10250E_GE3
Vishay Siliconix

SQP10250E_GE3

جزء الأسهم: 8326

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 53A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIB441EDK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB441EDK-T1-GE3

جزء الأسهم: 166611

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25.5 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات