Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

SI7852DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7852DP-T1-E3

جزء الأسهم: 82416

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7852DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7852DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 47290

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4425BDY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4425BDY-T1-E3

جزء الأسهم: 172331

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12 mOhm @ 11.4A, 10V,

قائمة الرغبات
SQP50N06-09L_GE3
Vishay Siliconix

SQP50N06-09L_GE3

جزء الأسهم: 8092

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 50A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR880ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR880ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 82231

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.3 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ410EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ410EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 8027

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 10.3A, 10V,

قائمة الرغبات
IRFL9014TRPBF
Vishay Siliconix

IRFL9014TRPBF

جزء الأسهم: 109733

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 500 mOhm @ 1.1A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM40022EM_GE3
Vishay Siliconix

SQM40022EM_GE3

جزء الأسهم: 8007

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 150A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.63 mOhm @ 35A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM10250E_GE3
Vishay Siliconix

SQM10250E_GE3

جزء الأسهم: 8102

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 65A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM60N06-15_GE3
Vishay Siliconix

SQM60N06-15_GE3

جزء الأسهم: 54775

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 56A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SQP25N15-52_GE3
Vishay Siliconix

SQP25N15-52_GE3

جزء الأسهم: 8033

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 52 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJ469EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ469EP-T1_GE3

جزء الأسهم: 51907

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 10.2A, 10V,

قائمة الرغبات
SI8808DB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8808DB-T2-E1

جزء الأسهم: 152807

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 95 mOhm @ 1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI2308BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2308BDS-T1-E3

جزء الأسهم: 104568

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 156 mOhm @ 1.9A, 10V,

قائمة الرغبات
SQM40016EM_GE3
Vishay Siliconix

SQM40016EM_GE3

جزء الأسهم: 8077

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 250A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
SI4456DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4456DY-T1-GE3

جزء الأسهم: 54802

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 33A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR846ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR846ADP-T1-RE3

جزء الأسهم: 7812

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 6V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 7.8 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7328DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7328DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 70522

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 35A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.6 mOhm @ 18.9A, 10V,

قائمة الرغبات
SUD40N10-25-T4-E3
Vishay Siliconix

SUD40N10-25-T4-E3

جزء الأسهم: 44633

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 25 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
SIJ482DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ482DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 85036

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.2 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7434ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SI7434ADP-T1-RE3

جزء الأسهم: 7901

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.7A (Ta), 12.3A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 150 mOhm @ 3.7A, 10V,

قائمة الرغبات
SIDR622DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIDR622DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 8057

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 64.6A (Ta), 56.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 17.7 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR878ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR878ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 76105

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 14 mOhm @ 15A, 10V,

قائمة الرغبات
SIA427DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA427DJ-T1-GE3

جزء الأسهم: 184657

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 8V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.2V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16 mOhm @ 8.2A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SI7742DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7742DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 91563

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQ2303ES-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ2303ES-T1_GE3

جزء الأسهم: 166796

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2.5A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 170 mOhm @ 1.8A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHA240N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHA240N60E-GE3

جزء الأسهم: 5819

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 5.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7135DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7135DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 68497

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI7720DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7720DN-T1-GE3

جزء الأسهم: 77144

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 12A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 12.5 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR880DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR880DP-T1-GE3

جزء الأسهم: 23751

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 80V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 5.9 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SQJQ100E-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ100E-T1_GE3

جزء الأسهم: 54878

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIHD7N60ET4-GE3
Vishay Siliconix

SIHD7N60ET4-GE3

جزء الأسهم: 7819

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
SIE874DF-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIE874DF-T1-GE3

جزء الأسهم: 60977

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 1.17 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SIR638ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR638ADP-T1-RE3

جزء الأسهم: 7890

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.88 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
SI3460BDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3460BDV-T1-E3

جزء الأسهم: 111885

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 8A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SIR872ADP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR872ADP-T1-GE3

جزء الأسهم: 85046

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 53.7A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 7.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 18 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات