Menu
العربيةالعربية
0rfqs / order.
0rfqs / order.

المنطق - البوابات والمحولات

TC7SZ00F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZ00F,LJ(CT

جزء الأسهم: 172427

نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7WH08FK,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7WH08FK,LJ(CT

جزء الأسهم: 139428

نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7W04FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7W04FU,LF

جزء الأسهم: 197811

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7WU04FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7WU04FU,LF

جزء الأسهم: 133

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7S32FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7S32FU,LF

جزء الأسهم: 141684

نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7W04FK,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7W04FK,LF

جزء الأسهم: 107479

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7W08FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7W08FU,LF

جزء الأسهم: 182962

نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7W00FK,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7W00FK,LF

جزء الأسهم: 108

نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7W14FK,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7W14FK,LF

جزء الأسهم: 143021

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7S00FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7S00FU,LF

جزء الأسهم: 175311

نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7W14FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7W14FU,LF

جزء الأسهم: 120514

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7SZ02FE,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZ02FE,LJ(CT

جزء الأسهم: 110720

نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7S14F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7S14F,LF

جزء الأسهم: 124330

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7SZU04FE,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZU04FE,LJ(CT

جزء الأسهم: 189099

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7SZ04FE,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZ04FE,LJ(CT

جزء الأسهم: 100022

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7WZU04FU,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7WZU04FU,LJ(CT

جزء الأسهم: 134246

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 10µA,

قائمة الرغبات
TC7SH04FU,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SH04FU,LJ(CT

جزء الأسهم: 157782

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SET08F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SET08F,LJ(CT

جزء الأسهم: 186623

نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7S14FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7S14FU,LF

جزء الأسهم: 101397

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7SH00F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SH00F,LJ(CT

جزء الأسهم: 135574

نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SET02FU,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SET02FU,LJ(CT

جزء الأسهم: 190465

نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SET14F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SET14F,LJ(CT

جزء الأسهم: 119805

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, سمات: Schmitt Trigger, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SZ86F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZ86F,LJ(CT

جزء الأسهم: 166133

نوع المنطق: XOR (Exclusive OR), عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7S02F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7S02F,LF

جزء الأسهم: 107890

نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 6V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات
TC7WH14FK,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7WH14FK,LJ(CT

جزء الأسهم: 90

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SET02F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SET02F,LJ(CT

جزء الأسهم: 119420

نوع المنطق: NOR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SH08F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SH08F,LJ(CT

جزء الأسهم: 198339

نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SZ05FE,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZ05FE,LJ(CT

جزء الأسهم: 164534

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, سمات: Open Drain, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SH00FU,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SH00FU,LJ(CT

جزء الأسهم: 148183

نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SET00F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SET00F,LJ(CT

جزء الأسهم: 179105

نوع المنطق: NAND Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 4.5V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SZU04F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZU04F,LJ(CT

جزء الأسهم: 126469

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SZ04F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZ04F,LJ(CT

جزء الأسهم: 101194

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SH32F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SH32F,LJ(CT

جزء الأسهم: 108270

نوع المنطق: OR Gate, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 2, الجهد - العرض: 2V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7SZ05F,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7SZ05F,LJ(CT

جزء الأسهم: 155533

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 1, عدد المدخلات: 1, سمات: Open Drain, الجهد - العرض: 1.8V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 2µA,

قائمة الرغبات
TC7WZ04FU,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7WZ04FU,LJ(CT

جزء الأسهم: 159208

نوع المنطق: Inverter, عدد الدوائر: 3, عدد المدخلات: 3, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 10µA,

قائمة الرغبات
TC7WZ08FK,LJ(CT
Toshiba Semiconductor and Storage

TC7WZ08FK,LJ(CT

جزء الأسهم: 169

نوع المنطق: AND Gate, عدد الدوائر: 2, عدد المدخلات: 4, الجهد - العرض: 1.65V ~ 5.5V, الحالي - هادئ (حد أقصى): 1µA,

قائمة الرغبات