الثنائيات - المقومات - المصفوفات | منتجات أشباه الموصلات المنفصلة | 2

BAV70,LM

جزء الأسهم: 3367

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 215mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99W,LF

جزء الأسهم: 3300

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 150mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

BAV99,LM

جزء الأسهم: 3315

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 215mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S02JE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 151

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S01FUTE85LF

جزء الأسهم: 111

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 10V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02F(TE85L,F)

جزء الأسهم: 99

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01F(TE85L,F)

جزء الأسهم: 125

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV99,LM

جزء الأسهم: 196401

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 150mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS12N65D,S1F

جزء الأسهم: 12490

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 6A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FTE85LF

جزء الأسهم: 146

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 80mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS16N65D,S1F

جزء الأسهم: 10959

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 8A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01JE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 109

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54C,LM

جزء الأسهم: 106201

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 140mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FTE85LF

جزء الأسهم: 105421

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair CA + CC, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D03FU,LF

جزء الأسهم: 159197

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair CA + CC, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 80mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAV70,LM

جزء الأسهم: 171499

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 215mA, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS24N65D,S1F

جزء الأسهم: 8001

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 12A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TRS20N65D,S1F

جزء الأسهم: 7444

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 650V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 10A (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D01FE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 191091

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FUTE85LF

جزء الأسهم: 124987

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 50mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D04FUTE85LF

جزء الأسهم: 130979

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU(T5L,F,T)

جزء الأسهم: 4548

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D01FU(TE85L,F)

جزء الأسهم: 166431

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 80mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2D03F(TE85L,F)

جزء الأسهم: 170816

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

CVJ10F30,LF

جزء الأسهم: 16260

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 570mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN1D02FU,LF

جزء الأسهم: 191404

تكوين الصمام الثنائي: 2 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAW56,LM

جزء الأسهم: 127689

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 80V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 215mA, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03T(TE85L)

جزء الأسهم: 4160

تكوين الصمام الثنائي: 2 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 50mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

HN2S03FE(TE85L,F)

جزء الأسهم: 4087

تكوين الصمام الثنائي: 3 Independent, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 50mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 50mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

U20DL2C48A(TE24L,Q

جزء الأسهم: 3899

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Cathode, نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 980mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54A,LM

جزء الأسهم: 120020

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Common Anode, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 100mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات

Toshiba Semiconductor and Storage

TBAT54S,LM

جزء الأسهم: 167920

تكوين الصمام الثنائي: 1 Pair Series Connection, نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, التيار - المتوسط المعدل (Io) (لكل ديود): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 580mV @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات