Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - FETs ، MOSFETs - أحادية

TPCA8010-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8010-H(TE12L,Q

جزء الأسهم: 6033

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 5.5A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 450 mOhm @ 2.7A, 10V,

قائمة الرغبات
TPCA8009-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8009-H(TE12L,Q

جزء الأسهم: 9563

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 150V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 7A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 350 mOhm @ 3.5A, 10V,

قائمة الرغبات
TPCA8016-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8016-H(TE12LQM

جزء الأسهم: 9528

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 25A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 21 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3J355R,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J355R,LF

جزء الأسهم: 128788

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 30.1 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
TPCA8007-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8007-H(TE12L,Q

جزء الأسهم: 9600

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 47 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM6J512NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J512NU,LF

جزء الأسهم: 193227

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 12V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 16.2 mOhm @ 4A, 8V,

قائمة الرغبات
SSM3K09FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K09FU,LF

جزء الأسهم: 126797

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 400mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 3.3V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 700 mOhm @ 200MA, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3J134TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J134TU,LF

جزء الأسهم: 16272

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 3.2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 93 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
TPN3300ANH,LQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN3300ANH,LQ

جزء الأسهم: 195443

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 9.4A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 33 mOhm @ 4.7A, 10V,

قائمة الرغبات
TPCF8107,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCF8107,LF

جزء الأسهم: 69123

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 28 mOhm @ 3A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM6J501NU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM6J501NU,LF

جزء الأسهم: 176891

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 15.3 mOhm @ 4A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SSM3H137TU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3H137TU,LF

جزء الأسهم: 16238

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 34V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 240 mOhm @ 1A, 10V,

قائمة الرغبات
TPCA8008-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8008-H(TE12L,Q

جزء الأسهم: 9581

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 250V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 580 mOhm @ 2A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3K72CFS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K72CFS,LF

جزء الأسهم: 138628

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 60V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 170mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.9 Ohm @ 100mA, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3J129TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J129TU(TE85L)

جزء الأسهم: 6003

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 4.6A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 46 mOhm @ 3A, 4.5V,

قائمة الرغبات
TPCC8005-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8005-H(TE12LQM

جزء الأسهم: 9435

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 26A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 6.4 mOhm @ 13A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3K17SU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K17SU,LF

جزء الأسهم: 5947

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 50V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 Ohm @ 10mA, 4V,

قائمة الرغبات
TPCA8025(TE12L,Q,M
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8025(TE12L,Q,M

جزء الأسهم: 9392

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
TPCA8021-H(TE12LQM
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCA8021-H(TE12LQM

جزء الأسهم: 9362

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 27A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 9 mOhm @ 14A, 10V,

قائمة الرغبات
TPC8109(TE12L)
Toshiba Semiconductor and Storage

TPC8109(TE12L)

جزء الأسهم: 9242

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 10A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 20 mOhm @ 5A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3J108TU(TE85L)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J108TU(TE85L)

جزء الأسهم: 9444

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 1.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 158 mOhm @ 800mA, 4V,

قائمة الرغبات
TPCC8002-H(TE12L,Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPCC8002-H(TE12L,Q

جزء الأسهم: 8783

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 22A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.3 mOhm @ 11A, 10V,

قائمة الرغبات
TPN2R304PL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN2R304PL,L1Q

جزء الأسهم: 119339

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 80A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.3 mOhm @ 40A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3K56FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K56FS,LF

جزء الأسهم: 100620

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 800mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 235 mOhm @ 800mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
TK31A60W,S4VX
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31A60W,S4VX

جزء الأسهم: 10937

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

قائمة الرغبات
TPN4R303NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPN4R303NL,L1Q

جزء الأسهم: 185384

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 40A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4.3 mOhm @ 20A, 10V,

قائمة الرغبات
TPHR9003NL,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPHR9003NL,L1Q

جزء الأسهم: 60875

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 60A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 4.5V, 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 0.9 mOhm @ 30A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3K15F,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K15F,LF

جزء الأسهم: 25861

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

قائمة الرغبات
SSM3K44FS,LF
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K44FS,LF

جزء الأسهم: 25853

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 30V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 100mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 2.5V, 4V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 4 Ohm @ 10mA, 4V,

قائمة الرغبات
TK31J60W5,S1VQ
Toshiba Semiconductor and Storage

TK31J60W5,S1VQ

جزء الأسهم: 9256

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 30.8A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 88 mOhm @ 15.4A, 10V,

قائمة الرغبات
TPH6400ENH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH6400ENH,L1Q

جزء الأسهم: 101081

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 200V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 13A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 64 mOhm @ 6.5A, 10V,

قائمة الرغبات
TPH8R80ANH,L1Q
Toshiba Semiconductor and Storage

TPH8R80ANH,L1Q

جزء الأسهم: 98527

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 100V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 32A (Tc), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 8.8 mOhm @ 16A, 10V,

قائمة الرغبات
SSM3K59CTB,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K59CTB,L3F

جزء الأسهم: 173472

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 40V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.8V, 8V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 215 mOhm @ 1A, 8V,

قائمة الرغبات
SSM3J46CTB(TPL3)
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3J46CTB(TPL3)

جزء الأسهم: 115248

نوع FET: P-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 2A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 103 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

قائمة الرغبات
SSM3K16CTC,L3F
Toshiba Semiconductor and Storage

SSM3K16CTC,L3F

جزء الأسهم: 21536

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 20V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 200mA (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 1.5V, 4.5V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 2.2 Ohm @ 100mA, 4.5V,

قائمة الرغبات
TK20N60W,S1VF
Toshiba Semiconductor and Storage

TK20N60W,S1VF

جزء الأسهم: 14097

نوع FET: N-Channel, تقنية: MOSFET (Metal Oxide), استنزاف إلى مصدر الجهد (Vdss): 600V, التيار - التصريف المستمر (معرف) عند 25 درجة مئوية: 20A (Ta), محرك الجهد (Max Rds On ، Min Rds On): 10V, Rds On (الحد الأقصى) @ Id، Vgs: 155 mOhm @ 10A, 10V,

قائمة الرغبات