Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

  • منزل، بيت
  •  
  • الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد
NSS30201MR6T1G
ON Semiconductor

NSS30201MR6T1G

جزء الأسهم: 181968

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 75mV @ 1mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 500mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPSA12RLRPG
ON Semiconductor

MPSA12RLRPG

جزء الأسهم: 6392

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 10µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
NSVBCX17LT1G
ON Semiconductor

NSVBCX17LT1G

جزء الأسهم: 194157

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
KST2484MTF
ON Semiconductor

KST2484MTF

جزء الأسهم: 6350

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 50mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 250 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
MJD3055G
ON Semiconductor

MJD3055G

جزء الأسهم: 6339

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 10A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 8V @ 3.3A, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20 @ 4A, 4V,

قائمة الرغبات
FJP5200OTU
ON Semiconductor

FJP5200OTU

جزء الأسهم: 6363

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 17A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 250V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 800mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 5µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 80 @ 1A, 5V,

قائمة الرغبات
MPSA63_D26Z
ON Semiconductor

MPSA63_D26Z

جزء الأسهم: 6579

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPSW45AZL1
ON Semiconductor

MPSW45AZL1

جزء الأسهم: 6423

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25000 @ 200mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPSA42_D27Z
ON Semiconductor

MPSA42_D27Z

جزء الأسهم: 6507

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

قائمة الرغبات
KSB1097OTU
ON Semiconductor

KSB1097OTU

جزء الأسهم: 6066

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 3A, 1V,

قائمة الرغبات
MPSA14_D74Z
ON Semiconductor

MPSA14_D74Z

جزء الأسهم: 6482

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
FJL6825TU
ON Semiconductor

FJL6825TU

جزء الأسهم: 6123

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 25A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 3A, 12A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 12A, 5V,

قائمة الرغبات
MPSW45RLREG
ON Semiconductor

MPSW45RLREG

جزء الأسهم: 6390

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25000 @ 200mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPS8599G
ON Semiconductor

MPS8599G

جزء الأسهم: 6383

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
KSC2328AYBU
ON Semiconductor

KSC2328AYBU

جزء الأسهم: 146507

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2V @ 30mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
MBT35200MT2G
ON Semiconductor

MBT35200MT2G

جزء الأسهم: 140751

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 310mV @ 20mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1.5A, 1.5V,

قائمة الرغبات
MPS8599
ON Semiconductor

MPS8599

جزء الأسهم: 6389

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 400mV @ 5mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPSA12_D26Z
ON Semiconductor

MPSA12_D26Z

جزء الأسهم: 6483

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 20V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 10µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
FJAF6806DYDTBTU
ON Semiconductor

FJAF6806DYDTBTU

جزء الأسهم: 6101

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 1A, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4 @ 4A, 5V,

قائمة الرغبات
MJD44H11T5
ON Semiconductor

MJD44H11T5

جزء الأسهم: 6340

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 400mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 4A, 1V,

قائمة الرغبات
MPSA55_D26Z
ON Semiconductor

MPSA55_D26Z

جزء الأسهم: 6515

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
TIP100
ON Semiconductor

TIP100

جزء الأسهم: 6462

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 2.5V @ 80mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 3A, 4V,

قائمة الرغبات
FJAF6808DYDTU
ON Semiconductor

FJAF6808DYDTU

جزء الأسهم: 6084

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 750V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 5V @ 1.2A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4.5 @ 5A, 5V,

قائمة الرغبات
KSD569RTU
ON Semiconductor

KSD569RTU

جزء الأسهم: 6118

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 3A, 1V,

قائمة الرغبات
KSD568YTU
ON Semiconductor

KSD568YTU

جزء الأسهم: 6113

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 7A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 500mA, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 3A, 1V,

قائمة الرغبات
MMBTA55LT3
ON Semiconductor

MMBTA55LT3

جزء الأسهم: 6711

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
MJD117-1G
ON Semiconductor

MJD117-1G

جزء الأسهم: 107733

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 40mA, 4A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 1000 @ 2A, 3V,

قائمة الرغبات
MJE18006
ON Semiconductor

MJE18006

جزء الأسهم: 6401

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 6A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 450V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 600mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 6 @ 3A, 1V,

قائمة الرغبات
NSCT817-25LT1G
ON Semiconductor

NSCT817-25LT1G

جزء الأسهم: 6424

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 45V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 160 @ 100mA, 1V,

قائمة الرغبات
FMMT449
ON Semiconductor

FMMT449

جزء الأسهم: 125802

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 2V,

قائمة الرغبات
MPSA28RLRPG
ON Semiconductor

MPSA28RLRPG

جزء الأسهم: 6406

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
MMBT3640_D87Z
ON Semiconductor

MMBT3640_D87Z

جزء الأسهم: 6525

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 10mA, 300mV,

قائمة الرغبات
MPSL01_D27Z
ON Semiconductor

MPSL01_D27Z

جزء الأسهم: 6537

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 200mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 120V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 5V,

قائمة الرغبات
MPS6523
ON Semiconductor

MPS6523

جزء الأسهم: 6452

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 300 @ 2mA, 10V,

قائمة الرغبات
MPSA14
ON Semiconductor

MPSA14

جزء الأسهم: 6468

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

قائمة الرغبات
FJPF13007H1
ON Semiconductor

FJPF13007H1

جزء الأسهم: 6146

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 400V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 3V @ 2A, 8A, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 15 @ 2A, 5V,

قائمة الرغبات