الترانزستورات - ثنائي القطب (BJT) - مفرد

PN5138_D75Z

جزء الأسهم: 6563

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 300mV @ 500µA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 10mA, 10V,

MJD200T5G

جزء الأسهم: 6594

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.8V @ 1A, 5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 45 @ 2A, 1V,

MPSA65_D75Z

جزء الأسهم: 6665

نوع الترانزستور: PNP - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

KSP92TA

جزء الأسهم: 198599

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 250nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 25 @ 30mA, 10V,

KSC2330YTA

جزء الأسهم: 138465

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 1mA, 10mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 20mA, 10V,

MPSA42

جزء الأسهم: 144468

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

TN6718A_D74Z

جزء الأسهم: 6554

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 250mA, 1V,

MJE344G

جزء الأسهم: 120089

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 200V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1mA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 50mA, 10V,

ZTX749A_J05Z

جزء الأسهم: 6588

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 35V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 1A, 2V,

KSH340TF

جزء الأسهم: 168746

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 50mA, 10V,

PN3643_D26Z

جزء الأسهم: 6542

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 220mV @ 15mA, 150mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MPSA42ZL1G

جزء الأسهم: 6602

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 2mA, 20mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 30mA, 10V,

SS8050CTA

جزء الأسهم: 181683

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.5A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 25V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 80mA, 800mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 100mA, 1V,

MPSW56RLRAG

جزء الأسهم: 6636

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 10mA, 250mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 500nA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 250mA, 1V,

MJD44H11G

جزء الأسهم: 118152

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 8A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 80V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 400mA, 8A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 1µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 40 @ 4A, 1V,

PN2222_J18Z

جزء الأسهم: 6561

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

TN6725A_D74Z

جزء الأسهم: 6576

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 50V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 2mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 4000 @ 1A, 5V,

MMBTA13

جزء الأسهم: 152387

نوع الترانزستور: NPN - Darlington, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1.2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.5V @ 100µA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

PN3566_D75Z

جزء الأسهم: 6601

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 10mA, 100mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 150 @ 10mA, 10V,

MCH3106-TL-E

جزء الأسهم: 153477

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 12V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 165mV @ 30mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 500mA, 2V,

TIP31AG

جزء الأسهم: 126309

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 300µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 3A, 4V,

TN2907A_D26Z

جزء الأسهم: 6599

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

TN6714A_D26Z

جزء الأسهم: 6612

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 500mV @ 100mA, 1A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 50 @ 1A, 1V,

KST2907AMTF

جزء الأسهم: 189201

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

MMBT2907-D87Z

جزء الأسهم: 6790

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 800mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 20nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

KSB1015YTU

جزء الأسهم: 88236

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 300mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 500mA, 5V,

FJAFS1720TU

جزء الأسهم: 6733

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 12A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 800V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 3.33A, 10A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 8.5 @ 11A, 5V,

PN2484_D75Z

جزء الأسهم: 6657

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 100mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 60V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 350mV @ 100µA, 1mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 10µA, 5V,

MCH3144-TL-E

جزء الأسهم: 110427

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 30V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 260mV @ 75mA, 1.5A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 200 @ 100mA, 2V,

KSE350STU

جزء الأسهم: 155828

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 50mA, 10V,

KST5550MTF

جزء الأسهم: 132223

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 600mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 140V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 250mV @ 5mA, 50mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 60 @ 10mA, 5V,

KSE340STU

جزء الأسهم: 135686

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 500mA, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 300V, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100µA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 30 @ 50mA, 10V,

NSV1C200MZ4T1G

جزء الأسهم: 177492

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 2A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 220mV @ 200mA, 2A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 100nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 120 @ 500mA, 2V,

PN2222A_J18Z

جزء الأسهم: 6568

نوع الترانزستور: NPN, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 1A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 40V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1V @ 50mA, 500mA, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 10nA (ICBO), الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 100 @ 150mA, 10V,

KSH32CTF

جزء الأسهم: 124318

نوع الترانزستور: PNP, التيار - المجمع (Ic) (الحد الأقصى): 3A, الجهد - انهيار جامع الباعث (الحد الأقصى): 100V, Vce Saturation (الحد الأقصى) @ Ib، Ic: 1.2V @ 375mA, 3A, التيار - قطع الجامع (الحد الأقصى): 50µA, الكسب الحالي للتيار المستمر (hFE) (دقيقة) @ Ic ، Vce: 10 @ 3A, 4V,

MMBT2222AHLT1H

جزء الأسهم: 6873