Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

المنطق - منطق التخصص

MC100EP16FDR2
ON Semiconductor

MC100EP16FDR2

جزء الأسهم: 4084

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16VTDG
ON Semiconductor

MC100EP16VTDG

جزء الأسهم: 2981

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16VCDR2G
ON Semiconductor

MC100EP16VCDR2G

جزء الأسهم: 4128

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC10EP116FAR2G
ON Semiconductor

MC10EP116FAR2G

جزء الأسهم: 2890

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 6, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 32-LQFP,

قائمة الرغبات
MC10EP16TD
ON Semiconductor

MC10EP16TD

جزء الأسهم: 2757

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 1, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC10E416FNR2
ON Semiconductor

MC10E416FNR2

جزء الأسهم: 4230

نوع المنطق: Differential Receiver, مصدر التيار: 4.2V ~ 5.7V, عدد البتات: 5, درجة حرارة التشغيل: 0°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 28-LCC (J-Lead),

قائمة الرغبات
MC100EP16FDTR2G
ON Semiconductor

MC100EP16FDTR2G

جزء الأسهم: 4169

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width),

قائمة الرغبات
MC10EP116FAR2
ON Semiconductor

MC10EP116FAR2

جزء الأسهم: 2625

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 6, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 32-LQFP,

قائمة الرغبات
MC10EP16VADR2
ON Semiconductor

MC10EP16VADR2

جزء الأسهم: 4298

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 1, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16VCD
ON Semiconductor

MC100EP16VCD

جزء الأسهم: 2692

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC10EP16VADT
ON Semiconductor

MC10EP16VADT

جزء الأسهم: 2707

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 1, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16TD
ON Semiconductor

MC100EP16TD

جزء الأسهم: 2687

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 1, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16VTDR2G
ON Semiconductor

MC100EP16VTDR2G

جزء الأسهم: 7283

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
NB4N527SMNG
ON Semiconductor

NB4N527SMNG

جزء الأسهم: 6381

نوع المنطق: Receiver, Driver, Buffer, Translator, مصدر التيار: 3V ~ 3.6V, عدد البتات: 2, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 16-VFQFN Exposed Pad,

قائمة الرغبات
MC100EP16VSDTR2
ON Semiconductor

MC100EP16VSDTR2

جزء الأسهم: 7455

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16VTD
ON Semiconductor

MC100EP16VTD

جزء الأسهم: 7300

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
NB100LVEP17MN
ON Semiconductor

NB100LVEP17MN

جزء الأسهم: 2678

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 2.375V ~ 3.8V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 24-VFQFN Exposed Pad,

قائمة الرغبات
MC10EP17DTG
ON Semiconductor

MC10EP17DTG

جزء الأسهم: 5531

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16VTMNR4G
ON Semiconductor

MC100EP16VTMNR4G

جزء الأسهم: 6466

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-VFDFN Exposed Pad,

قائمة الرغبات
MC100EL17DWR2G
ON Semiconductor

MC100EL17DWR2G

جزء الأسهم: 2903

نوع المنطق: Differential Receiver, مصدر التيار: 4.2V ~ 5.7V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width),

قائمة الرغبات
MC10EP17MNTXG
ON Semiconductor

MC10EP17MNTXG

جزء الأسهم: 5355

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-VFQFN Exposed Pad,

قائمة الرغبات
MC10H330FNG
ON Semiconductor

MC10H330FNG

جزء الأسهم: 4377

نوع المنطق: Driver/Receiver, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: 0°C ~ 75°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 28-LCC (J-Lead),

قائمة الرغبات
NB100LVEP17MNG
ON Semiconductor

NB100LVEP17MNG

جزء الأسهم: 5519

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 2.375V ~ 3.8V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 24-VFQFN Exposed Pad,

قائمة الرغبات
MC100EP17DWR2G
ON Semiconductor

MC100EP17DWR2G

جزء الأسهم: 2902

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width),

قائمة الرغبات
MC10E416FNR2G
ON Semiconductor

MC10E416FNR2G

جزء الأسهم: 4250

نوع المنطق: Differential Receiver, مصدر التيار: 4.2V ~ 5.7V, عدد البتات: 5, درجة حرارة التشغيل: 0°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 28-LCC (J-Lead),

قائمة الرغبات
MC10H332FNR2
ON Semiconductor

MC10H332FNR2

جزء الأسهم: 4353

نوع المنطق: Driver/Receiver, عدد البتات: 2, درجة حرارة التشغيل: 0°C ~ 75°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-LCC (J-Lead),

قائمة الرغبات
MC10EP17DTR2G
ON Semiconductor

MC10EP17DTR2G

جزء الأسهم: 4350

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width),

قائمة الرغبات
MC14007UBD
ON Semiconductor

MC14007UBD

جزء الأسهم: 5795

نوع المنطق: Complementary Pair Plus Inverter, مصدر التيار: 3V ~ 18V, عدد البتات: 3, درجة حرارة التشغيل: -55°C ~ 125°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 14-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC100EP16VBD
ON Semiconductor

MC100EP16VBD

جزء الأسهم: 2747

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
CD4519BCN
ON Semiconductor

CD4519BCN

جزء الأسهم: 2332

نوع المنطق: AND/OR Select, عدد البتات: 4, نوع التركيب: Through Hole, العبوة / العلبة: 16-DIP (0.300", 7.62mm),

قائمة الرغبات
MC100EP17DT
ON Semiconductor

MC100EP17DT

جزء الأسهم: 2730

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width),

قائمة الرغبات
MC100LVEL17DWR2G
ON Semiconductor

MC100LVEL17DWR2G

جزء الأسهم: 23310

نوع المنطق: Differential Receiver, مصدر التيار: 3V ~ 3.8V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-SOIC (0.295", 7.50mm Width),

قائمة الرغبات
NB100LVEP17DTR2G
ON Semiconductor

NB100LVEP17DTR2G

جزء الأسهم: 7925

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 2.375V ~ 3.8V, عدد البتات: 4, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 20-TSSOP (0.173", 4.40mm Width),

قائمة الرغبات
MC100LVEL16DR2G
ON Semiconductor

MC100LVEL16DR2G

جزء الأسهم: 24511

نوع المنطق: Differential Receiver, مصدر التيار: 3V ~ 3.8V, عدد البتات: 1, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width),

قائمة الرغبات
MC10EP16TDTR2G
ON Semiconductor

MC10EP16TDTR2G

جزء الأسهم: 12542

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 1, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width),

قائمة الرغبات
MC10EP116FAG
ON Semiconductor

MC10EP116FAG

جزء الأسهم: 5251

نوع المنطق: Differential Receiver/Driver, مصدر التيار: 3V ~ 5.5V, عدد البتات: 6, درجة حرارة التشغيل: -40°C ~ 85°C, نوع التركيب: Surface Mount, العبوة / العلبة: 32-LQFP,

قائمة الرغبات