Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

RURU10060
ON Semiconductor

RURU10060

جزء الأسهم: 5025

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 100A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.6V @ 100A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 100ns,

قائمة الرغبات
MUR110RL
ON Semiconductor

MUR110RL

جزء الأسهم: 249

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 875mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
MRA4007T3
ON Semiconductor

MRA4007T3

جزء الأسهم: 266

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR860G
ON Semiconductor

MUR860G

جزء الأسهم: 74053

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 8A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 8A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 60ns,

قائمة الرغبات
MBRD320T4
ON Semiconductor

MBRD320T4

جزء الأسهم: 299

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB4030T4G
ON Semiconductor

MBRB4030T4G

جزء الأسهم: 39267

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 40A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 40A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRB2515LT4
ON Semiconductor

MBRB2515LT4

جزء الأسهم: 268

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
EGP20D
ON Semiconductor

EGP20D

جزء الأسهم: 141247

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
MBRM110LT1
ON Semiconductor

MBRM110LT1

جزء الأسهم: 326

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 10V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 365mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBRS410ET3
ON Semiconductor

MBRS410ET3

جزء الأسهم: 253

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 10V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURA105T3
ON Semiconductor

MURA105T3

جزء الأسهم: 267

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 875mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
MR754
ON Semiconductor

MR754

جزء الأسهم: 335

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 6A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
RB751V40T1
ON Semiconductor

RB751V40T1

جزء الأسهم: 250

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 370mV @ 1mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
MR756RL
ON Semiconductor

MR756RL

جزء الأسهم: 5090

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 6A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR2515L
ON Semiconductor

MBR2515L

جزء الأسهم: 320

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 15V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 25A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 25A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURA230T3
ON Semiconductor

MURA230T3

جزء الأسهم: 5070

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.3V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 65ns,

قائمة الرغبات
MBR3100RL
ON Semiconductor

MBR3100RL

جزء الأسهم: 257

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 790mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR405
ON Semiconductor

MUR405

جزء الأسهم: 271

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 890mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
MBR140SFT1
ON Semiconductor

MBR140SFT1

جزء الأسهم: 334

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MBR120VLSFT1
ON Semiconductor

MBR120VLSFT1

جزء الأسهم: 287

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 340mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MRS1504T3
ON Semiconductor

MRS1504T3

جزء الأسهم: 271

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 400V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1.5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.04V @ 1.5A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MMBD1401A
ON Semiconductor

MMBD1401A

جزء الأسهم: 195161

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 175V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
MURA105T3G
ON Semiconductor

MURA105T3G

جزء الأسهم: 131586

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 875mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 30ns,

قائمة الرغبات
ES1H
ON Semiconductor

ES1H

جزء الأسهم: 186623

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 500V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.7V @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
NSR05T30XV2T5G
ON Semiconductor

NSR05T30XV2T5G

جزء الأسهم: 21643

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 23ns,

قائمة الرغبات
MBR10100G
ON Semiconductor

MBR10100G

جزء الأسهم: 71105

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 800mV @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MURD320T4G
ON Semiconductor

MURD320T4G

جزء الأسهم: 177107

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 950mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
NSRLL30XV2T1G
ON Semiconductor

NSRLL30XV2T1G

جزء الأسهم: 125173

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 600mV @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
FDLL300A
ON Semiconductor

FDLL300A

جزء الأسهم: 196672

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 125V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
NRVA4007T3G
ON Semiconductor

NRVA4007T3G

جزء الأسهم: 141559

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FSV12100V
ON Semiconductor

FSV12100V

جزء الأسهم: 146093

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 12A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 670mV @ 12A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 27.33ns,

قائمة الرغبات
S115FP
ON Semiconductor

S115FP

جزء الأسهم: 177421

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NSVRB751S40T1G
ON Semiconductor

NSVRB751S40T1G

جزء الأسهم: 143031

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 370mV @ 1mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
SB160
ON Semiconductor

SB160

جزء الأسهم: 113525

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FSV20150V
ON Semiconductor

FSV20150V

جزء الأسهم: 163546

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NRVTSA3100ET3G
ON Semiconductor

NRVTSA3100ET3G

جزء الأسهم: 151374

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 995mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات