Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

الثنائيات - المقومات - مفرد

SMMSD103T1G
ON Semiconductor

SMMSD103T1G

جزء الأسهم: 114256

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 250V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
FFPF20UP30STU
ON Semiconductor

FFPF20UP30STU

جزء الأسهم: 801

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 20A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.5V @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
FFPF15UP20STTU
ON Semiconductor

FFPF15UP20STTU

جزء الأسهم: 842

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 15A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 15A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 45ns,

قائمة الرغبات
NRVB1035G
ON Semiconductor

NRVB1035G

جزء الأسهم: 791

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 35V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 840mV @ 20A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S3J
ON Semiconductor

S3J

جزء الأسهم: 191296

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.2V @ 3A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2.5µs,

قائمة الرغبات
FFP04S60STU
ON Semiconductor

FFP04S60STU

جزء الأسهم: 785

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.6V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 25ns,

قائمة الرغبات
NRVB120LSFT1G
ON Semiconductor

NRVB120LSFT1G

جزء الأسهم: 119557

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 450mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS33
ON Semiconductor

SS33

جزء الأسهم: 131266

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 500mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
SS35
ON Semiconductor

SS35

جزء الأسهم: 109183

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 50V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 750mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FFP04H60STU
ON Semiconductor

FFP04H60STU

جزء الأسهم: 802

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 2.1V @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 45ns,

قائمة الرغبات
MMBD1401_D87Z
ON Semiconductor

MMBD1401_D87Z

جزء الأسهم: 817

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
SB07-03C-TB-H
ON Semiconductor

SB07-03C-TB-H

جزء الأسهم: 131699

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 700mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 700mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 10ns,

قائمة الرغبات
NSVR351SDSA3T1G
ON Semiconductor

NSVR351SDSA3T1G

جزء الأسهم: 10000

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 5V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 30mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 230mV @ 1mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
MBRS130L
ON Semiconductor

MBRS130L

جزء الأسهم: 177299

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 445mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MMBD6050
ON Semiconductor

MMBD6050

جزء الأسهم: 177582

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 100mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
NRVBM120ET1G
ON Semiconductor

NRVBM120ET1G

جزء الأسهم: 160974

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 595mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MMBD914_D87Z
ON Semiconductor

MMBD914_D87Z

جزء الأسهم: 834

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 10mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 4ns,

قائمة الرغبات
FYP0545STU
ON Semiconductor

FYP0545STU

جزء الأسهم: 873

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S210
ON Semiconductor

S210

جزء الأسهم: 114121

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 100V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 850mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
NSVR0240HT1G
ON Semiconductor

NSVR0240HT1G

جزء الأسهم: 141575

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 40V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 250mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 710mV @ 200mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
MUR420SG
ON Semiconductor

MUR420SG

جزء الأسهم: 710

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 890mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
SB007-03Q-TL-E
ON Semiconductor

SB007-03Q-TL-E

جزء الأسهم: 169060

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 70mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 550mV @ 70mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 10ns,

قائمة الرغبات
S115FA
ON Semiconductor

S115FA

جزء الأسهم: 143603

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 150V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 900mV @ 1A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
S1MFL
ON Semiconductor

S1MFL

جزء الأسهم: 173522

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 1000V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.1V @ 1A, سرعة: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 2µs,

قائمة الرغبات
MURF550PFG
ON Semiconductor

MURF550PFG

جزء الأسهم: 809

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 520V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 5A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 5A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 95ns,

قائمة الرغبات
NSR0520V2T1G
ON Semiconductor

NSR0520V2T1G

جزء الأسهم: 124357

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 20V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 500mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 480mV @ 500mA, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 12ns,

قائمة الرغبات
FFD06UP20S
ON Semiconductor

FFD06UP20S

جزء الأسهم: 734

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 200V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 6A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.15V @ 6A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 35ns,

قائمة الرغبات
MBR460MFST1G
ON Semiconductor

MBR460MFST1G

جزء الأسهم: 191634

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 60V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 4A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 740mV @ 4A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات
FFPF10UP30STTU
ON Semiconductor

FFPF10UP30STTU

جزء الأسهم: 881

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 300V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 10A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.4V @ 10A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 45ns,

قائمة الرغبات
SB3003CH-TL-W
ON Semiconductor

SB3003CH-TL-W

جزء الأسهم: 102061

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 30V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 520mV @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 20ns,

قائمة الرغبات
SMMSD701T1G
ON Semiconductor

SMMSD701T1G

جزء الأسهم: 122960

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 70V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1V @ 10mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

قائمة الرغبات
NSVBAS21AHT1G
ON Semiconductor

NSVBAS21AHT1G

جزء الأسهم: 103578

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 250V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA (DC), الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 50ns,

قائمة الرغبات
MUR260G
ON Semiconductor

MUR260G

جزء الأسهم: 170362

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 2A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.35V @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 75ns,

قائمة الرغبات
SB02-09C-TB-E
ON Semiconductor

SB02-09C-TB-E

جزء الأسهم: 183555

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 90V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 200mA, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 700mV @ 200mA, سرعة: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed, وقت الاسترداد العكسي (trr): 10ns,

قائمة الرغبات
MR856G
ON Semiconductor

MR856G

جزء الأسهم: 183120

نوع الصمام الثنائي: Standard, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 600V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 3A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 1.25V @ 3A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), وقت الاسترداد العكسي (trr): 300ns,

قائمة الرغبات
NRVBM110ET1G
ON Semiconductor

NRVBM110ET1G

جزء الأسهم: 146672

نوع الصمام الثنائي: Schottky, الجهد - عكس التيار المستمر (Vr) (الحد الأقصى): 10V, الحالي - متوسط ​​المعدل (Io): 1A, الجهد - إلى الأمام (Vf) (الحد الأقصى) @ إذا: 595mV @ 2A, سرعة: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

قائمة الرغبات