Menu
العربيةالعربية
rfqs / order.
0rfqs / order.

TVS - الثايرستور

NP0900SAT3G
ON Semiconductor

NP0900SAT3G

جزء الأسهم: 4072

الجهد - الكسر: 98V, الجهد - خارج الدولة: 75V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
NP2600SBMCT3G
ON Semiconductor

NP2600SBMCT3G

جزء الأسهم: 4037

الجهد - الكسر: 300V, الجهد - خارج الدولة: 220V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 250A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 80A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT05A230T3G
ON Semiconductor

MMT05A230T3G

جزء الأسهم: 3955

الجهد - الكسر: 265V, الجهد - خارج الدولة: 170V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 150A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
NP1800SAT3G
ON Semiconductor

NP1800SAT3G

جزء الأسهم: 3838

الجهد - الكسر: 220V, الجهد - خارج الدولة: 170V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT05B260T3
ON Semiconductor

MMT05B260T3

جزء الأسهم: 3733

الجهد - الكسر: 320V, الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 150A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
NP3100SAT3G
ON Semiconductor

NP3100SAT3G

جزء الأسهم: 3813

الجهد - الكسر: 350V, الجهد - خارج الدولة: 275V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
NP0900SCT3G
ON Semiconductor

NP0900SCT3G

جزء الأسهم: 5470

الجهد - الكسر: 98V, الجهد - خارج الدولة: 75V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 100A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT05A310T3
ON Semiconductor

MMT05A310T3

جزء الأسهم: 3771

الجهد - الكسر: 365V, الجهد - خارج الدولة: 270V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 150A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT05A230T3
ON Semiconductor

MMT05A230T3

جزء الأسهم: 3711

الجهد - الكسر: 265V, الجهد - خارج الدولة: 170V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 150A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT10B310T3
ON Semiconductor

MMT10B310T3

جزء الأسهم: 3738

الجهد - الكسر: 365V, الجهد - خارج الدولة: 270V, الجهد - على الدولة: 5V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 100A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT08B310T3
ON Semiconductor

MMT08B310T3

جزء الأسهم: 3799

الجهد - الكسر: 365V, الجهد - خارج الدولة: 270V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 250A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 80A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT05B230T3
ON Semiconductor

MMT05B230T3

جزء الأسهم: 3731

الجهد - الكسر: 265V, الجهد - خارج الدولة: 170V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 150A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT05A260T3
ON Semiconductor

MMT05A260T3

جزء الأسهم: 3728

الجهد - الكسر: 320V, الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 150A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
NP1100SBMCT3G
ON Semiconductor

NP1100SBMCT3G

جزء الأسهم: 3834

الجهد - الكسر: 130V, الجهد - خارج الدولة: 90V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 250A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 80A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT08B310T3G
ON Semiconductor

MMT08B310T3G

جزء الأسهم: 3742

الجهد - الكسر: 365V, الجهد - خارج الدولة: 270V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 250A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 80A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT05B310T3
ON Semiconductor

MMT05B310T3

جزء الأسهم: 3755

الجهد - الكسر: 365V, الجهد - خارج الدولة: 270V, الجهد - على الدولة: 3V, التيار - ذروة النبض (8/20 ثانية): 150A, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
NTVB300SA-L
ON Semiconductor

NTVB300SA-L

جزء الأسهم: 3801

الجهد - الكسر: 400V, الجهد - خارج الدولة: 300V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
NP1500SAT3G
ON Semiconductor

NP1500SAT3G

جزء الأسهم: 5427

الجهد - الكسر: 180V, الجهد - خارج الدولة: 140V, الجهد - على الدولة: 4V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 50A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT10B260T3G
ON Semiconductor

MMT10B260T3G

جزء الأسهم: 3830

الجهد - الكسر: 320V, الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - على الدولة: 5V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 100A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات
MMT10B260T3
ON Semiconductor

MMT10B260T3

جزء الأسهم: 5462

الجهد - الكسر: 320V, الجهد - خارج الدولة: 200V, الجهد - على الدولة: 5V, التيار - ذروة النبض (10 / 1000µs): 100A, الحالي - عقد (Ih): 150mA,

قائمة الرغبات